| 研究課題/領域番号 |
05555083
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
大野 英雄 東北大学, 工学部, 教授 (00152215)
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| 研究分担者 |
水田 正志 日本電気(株), 基礎研究所, 部長
松倉 文礼 電気通信研究所, 助手 (50261574)
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| キーワード | サブバンド間遷移 / 化合物半導体 / エルAs / GaAs / 量子構造 / ヘテロ構造 / 分子線エピタキシ |
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| 研究概要 |
化合物半導体量子構造中に形成される同一のバンドに属する量子準位間の光学遷移(サブバンド間遷移)を利用した長波長発光素子の実用化のための基礎的研究を行った。対象とした化合物半導体材料は、AlGaAa/GaAs系、およびInAs/GaSb系である。具体的研究項目は(1)素子の設計、(2)素子構造の分子線エピタキシによる結晶成長、(3)量子構造中の輸送特性と発光の基礎過程の測定・評価、(4)素子の製作と性能測定、である。本年度は研究代表者の転任のため実験装置と移設と再調整を行い、並行して昨年度に引き続き、素子構造の設計、素子構造の分子線エピタキシ法による成長、量子構造における輸送特性と光学遷移の測定、素子作成プロセスの検討を進めた。設計に関してはAlGaAs/GaAs系、InAs/GaSb系それぞれについて具体的に非発光性遷移と発光性遷移を検討しながら設計を進めた。素子構造の結晶成長に関しては、装置移設後の再調整を完了し、再び成長可能な状態に到達した。量子構造中の光学遷移に関しては、フーリエ交換型赤外分光光度計による測定をすすめ理論計算との比較対応を行った。素子の製作プロセスも再調整が完了し、プロセス可能な状態とした。(本研究に関しては、研究代表者の転任により研究を完了する時期が延びたため別紙様式8「研究経過報告書」を提出している。)
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