| 研究概要 |
平成6年度の研究成果は以下のようである。まず,前年度の研究で準備した放射軟X線分光(SXES)装置を用いて,入射電子の試料表面となす角(θ)を表面に平行(90°)に近付けることにより,試料表面分析に応用できること,また,適当なθを選ぶことにより任意の深さにある界面からの情報が得られること(IAV法)を,Au(薄膜)-Si(基板)接合等の研究から明らかにした。また、薄膜接合系の非破壊分深さ分析が入射電子エネルギーを変化させることによっても可能である(IEV法)ことを示した。
超微細コンタクト形成の基礎研究では遷移金属,例えばFe,を用いたSiとの接合について低温固相反応による遷移金属シリサイド膜形成過程を調べた。その結果,Fe(薄膜)-Si(基板)接合系では,熱処理温度とともにFeリッチなシリサイドからFeSi_2へと変化すること,また,2相のシリサイドの混在する温度領域のあることなどが明かとなった。このよう熱処理温度とシリサイド形成機構との相関関係から,シャロ-な超微細コンタクト形成のための基礎知識が得られたものと考える。
また,Pd,Ni,Ptといういずれも価電子が10個ある遷移金属のモノシリサイド(PdSi,NiSi,PtSi)の構造と電子状態の関係をSXESにより調べた。これらは同じ結晶系に属しているが,3つのシリサイドの価電子帯構造は,金属(M)-Si,Si-Si原子間距離と密接な関係のあることが明かとなった。つまり,何等かの工夫により,シリサイドの価電子帯構造,即ち電気特性を制御できる可能性のあることが示された。これは,今後超微細コンタクトを形成する上で重要な情報を与えるものとなるであろう。
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