| 研究課題/領域番号 |
05555235
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
細野 秀雄 東京工業大学, 工業材料研究所, 助教授 (30157028)
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| 研究分担者 |
牟田 健一 昭和電線電纜(株), 光通信研究部, 課長
粟津 浩一 電子技術総合研究所, 量子放射部, 研究員
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| キーワード | 点欠陥 / ガラス / 光誘起反応 / グレーティング / GeO_2 / フォトリフラクティブ材料 |
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| 研究概要 |
高効率なHills gratingsの実現をめざしてSiO_2:GeO_2ガラスの光反応性欠陥の濃度の向上について検討を行った。得られた結果を以下にまとめる。
1)5GeO_2:95SiO_2ガラスを水素雰囲気中で熱処理することを検討した。その結果、500℃という温度が最適で、それ以下では反応は生じず700℃以上ではGe粒子まで還元してしまった。500℃、70時間の熱処理により中性酸素モノ空孔(NOMV)と酸素ジ享孔(NODV)の総濃度は約3倍に増大した。このうち、grating形成に有効なNOMVの濃度は約8倍増大し、NODVのそれの約3倍に達した。
2)1)の結果は同処理により光誘起屈折率変化の大きさ(△n)が約1桁増大することを示唆するが、これは最近のMeltzが報告した△nの増大とよく合致し、この処理が極めて有効であることが実証された。
3)水素処理によるNOVの生成機構についての構造モデルを提唱した。GeOHの生成、H_2の拡散過程についても有用な知見を得た。
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