| 研究概要 |
平成5年10月までに,強磁場・極低温用の高周波電気伝導測定系を完成して,20M〓までの予備実験を終えた。平成5年12月この高周波電気伝導測定系を用いて,シリコンMOS二次元電子系について,磁場8T,温度4.2K,120k〓までの周波数においてsigmaxxの周波数依存性の測定を行なった。しかし、有意な周波数依存性を観測することはできなかった。これは,この実験において,温度,周波数ともに目標値に達しなかったためと考えられる。温度については,本科学研究費補助金で平成5年に購入した^3Heガスを用いた極低温システムを完成し,目標の0.4Kを達成することができた。さらに平成6年1月に,小型希釈冷凍機を用いた極低温装置により,温度31mKを達成することができた。そこで,同年3月に,この希釈冷凍機と高周波電気伝導測定系を組み合わせて,再度sigmaxxの周波数依存性の測定を試みた。しかし,トラブル発生のため残念ながら極低温を実現することができなかった。現在この原因を検討中である。
以上のように,強磁場装置,極低温装置,高周波電気伝導測定系それぞれは独立に稼動状態になったが,これらを組み合わせた目的の実験にまだ成功していない。平成6年度早々にこれを実現しなければならない。
|
