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科学技術庁・無機材質研究所の堀内繁雄特別研究管の協力を得て、また、日電アネルバ(株)の村上、人見らの協力によりUHV-CVD法で作製した、Si-Ge(約14%)混晶とSiの超格子に1MeVの高速電子を照射して、超格子中のGeをSi格子中に拡散させた。
1.電子顕微鏡像で観察していると加速電圧400kV以上では、照射損傷により格子欠陥が発生し、原子の拡散が起こり、やがて超格子構造が確認できなくなることが分かった。
2.顕微鏡像では、超格子構造が確認できないような照射量の試料を本学の400kV電子顕微鏡に付設されている結像型EELSを使い、Geの内殻損失電子のみによるコアロス像では、超格子構造を明確に確認できるという結果を得た。
3.また付随して、このSi-Ge混晶とSiの超格子は、400kVの電子を照射したときの照射損傷と、1MeVの電子を照射した場合の損傷の様子が異なり、400kVでは、全方向とも歪みや欠陥が発生するのに対し、1MeVでは表面に対し水平および垂直方向に多くの欠陥が発生する現象が観察された。
1-3の成果について、1994年3月の日本物理学会春季講演会で論文を口頭で発表報告した。これらの、観察試料を作製するために盟和商会よりスラリードリルを購入した。また、試料作成を、アルバイト依頼し謝礼を支出した。また、画像データーの記録と整理のためパソコンを購入した。(消耗品)
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