研究概要 |
低酸素誘起過分極電位がATR感受性K^+(K^+ATP)チャネルの活性化に起因するという報告が黒質細胞にあるので、海馬CAl錘体細胞で検討した。K^+ATPチャネル活性薬diazoxide(l mM)又はnicorandil(l mM)を潅流投与すると、入力抵抗の減少を伴う3〜8mVの過分極電位が生じた。同一ニューロンで低酸素誘起過分極電位が発生することを確認した後、diazoxide, nicorandil投与下で膜電位をDC通電でコントロールレベルまで戻して低酸素を負荷すると、過分極電位の振幅はコントロールの62±9%,56±8%に減少した。この減少はK^+ATPチャネル活性薬の前処置によって一部のチャネルがすでに開孔しているためと考えられる。一方、K^+ATPチャネル活抗薬glybenclamide,tolbutamideを投与すると、膜電位、入力抵抗は有意な影響を受けなかったが、低酸素誘起過分極電位は用量依存性に抑制された。Glybenclamide(100μM),tolbutamide(100μM)前処置によって過分極電位振幅はコントロールの44±7%,36±6%に減少した。Tolbutamide(100μM)による抑制はnet outward currentをコントロールのそれと比較することによって確認した。膜電位-70mVで比較すると、tolbutamide下では39±8%に減少していた。これらの結果は低酸素誘起過分極電位がK^+ATPチャネルの活性化に起因することを示唆する。しかしながら、tolbutamide(200μM)で低酸素2〜3分負荷による過分極電位をほぼ完全に抑制しても、低酸素負荷を5〜10分持続させると、大きな振幅をもつ過分極電位が発生した。従って、低酸素負荷による過分極電位にK^+ATPチャネルが関与することは確かであるが、他のK^+ATPチャネル関与の可能性がある。昨年の報告で述べたように、過分極電位発生にCa^<2+>依存性K^+ATPチャネルの活性化も関与するが、このチャネルは従来の膜電位依存性K^+ATPチャネルではなくCalmodulin kinase II系が関与する。
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