| 研究課題/領域番号 |
06044059
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
石田 洋一 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (60013108)
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| 研究分担者 |
香山 正憲 工業技術院大阪工業研究所, ガラスセラミック材料部, 主任研究官
OHUCHI Fumio Universty of Washington, Dept of Material, 教授
須賀 唯知 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (40175401)
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| キーワード | 電子顕微鏡 / 原子間力顕微鏡 / セラミックス / 界面 / 原子構造 / 電子構造 / バンド計算 / カーボンナノチューブ |
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| 研究概要 |
本年度は当初計画を変更し、Ohuchi教授に8月23日より9月10日まで日本に滞在して頂き共同研究を行った.また、12月6日より12日まで、石田及び大学院生の林卓哉がワシントン大学のOhuchi教授の研究室に出張し、カーボンナノチューブの強変形により圧縮側に導入されるバックリングを伴った界面の電子的構造の解析を行った.透過電子顕微鏡による観察結果と計算機シミュレーションは、ナノチューブの変形が曲げによる弾性的な変形とそれに続くグラファイトのsp^2からsp^3への結合状態変化によってもたらされた構造である可能性が高いことを明らかにした.しかし、期待されていた電子線エネルギー損失分光による変形部の解析は測定条件が十分でなく有意な結果が得られなかった.また、Ohuchi教授の来日中に大阪工研でのSiC-Al界面の電子構造・原子構造の実験観察法と理論計算法について議論、打ち合わせを行い、SiC表面の再構成構造や原子種が金属との結合性を左右する可能性、特にAl/Si間とAl-C間とではそれぞれ相互作用が異なる可能性を明らかにした.須賀研究室ではSiC/Al常温接合界面について高分解能電顕観察、AFM観察を行い、実験と計算の比較について議論し、今後の研究方向について詳細な検討を行った.
以上のように、TEM、AFMなどの局所解析技術を駆使した実験観察、及び計算機シミュレーションなどの理論解析の共同研究により、SiC/Al界面の原子・電子構造、カーボンナノチューブの変形部界面について幾つかの新しい知見が得られた.最終年度へ向けて検討すべき課題と今後の方針が明確になった.
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