| 研究概要 |
H+N_2O→OH(A)+N_2版のの反応の配依存性を調べるため以下の装置を試作した。装置は2m六極不均一電場を用いた配向分子線とパルス分子線(200μs)のレーザー光解離を用いた原子線源および高速ゲート光子計数測定装置よりなる。ホット水素原子はパルスノズルより噴出したHBr分子線(200μs)に、反応交点より3cm下流でArFエキシマーレーザーを照射し、光解離させて生成した。レーザー強度は、パワーメーター出力をコンピューターに取り込みモニターした。変角振動モードを励起したN_2Oを六極不均一電場で状態選別し、誘導電場及び配向電場で配向させ配向分子線とした。六極印加電圧14kVまでの範囲で|JIM>=|111>,|212>,|313>の3つの純粋回転状態を生成することができた。この際にノズル温度を加熱することで配向分子線の強度を大幅に増大させることができた。また各ノズル温度での配向N_2O分子線の特性評価を終了した。OH(A)生成過程の配向依存性の測定は、すべてコンピューターに制御し、N-端、O-端、無配向の3つの配向状態及び六極印加電圧off(バックグラウンド信号)の計4つの状態を自動的に変化させて行う様にした。現在上記反応の配向依存性に関する予備的データが得られつつあり、実験条件の最適化を行っている。
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