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1996 年度 研究成果報告書概要

表面電子分光による半導体表面化学反応の放射光励起効果と反応機構の研究

研究課題

研究課題/領域番号 06402022
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関東北大学

研究代表者

末光 眞希  東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (00134057)

研究分担者 遠田 義晴  東北大学, 電気通信研究所, 助手 (20232986)
庭野 道夫  東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (20134075)
研究期間 (年度) 1994 – 1996
キーワード光励起プロセス / 半導体結晶成長 / 紫外光電子分光 / 水素脱離反応 / その場観察 / 気相成長 / 光電子強度振動 / Si(100)
研究概要

1.Si(100)上Siエピタキシャル成長中に表面準位の光電子強度が振動することを見出し、その起源は2つの表面再配列の交互の入れ代わりによるものであり、振動を引き起こすそれら表面の光電子強度差は表面準位の角度分散異方性に由来することを明らかにした。
2.Si_2H_6を用いたSi気相成長凍結表面では水素の脱離反応次数が1であるのに対し、SiH_4成長凍結表面では1よりも大きいことを昇温脱離測定により見出し、その原因について明らかにした。
3.Si熱酸化において、650℃を境とし低温側ではラングミュア型成長様式、高温側では2次元島成長様式で酸化膜が形成することをリアルタイム光電子分光測定により見出した。
4.よく知られているPドープによるSi膜成長速度の減少はその原因の一つは表面Pの存在による水素脱離速度の減少にあることを昇温脱離測定により見出した。
5.Si(100)上のSiH_4の解離吸着は600℃以上では4サイト、600℃以下では2サイトを必要としてSiH_4が表面に解離吸着する事を昇温脱離測定により見出した。この吸着素過程の温度依存性は準安定状態SiH_3の生成・脱離と深く関わっていることがわかった。

  • 研究成果

    (34件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (34件)

  • [文献書誌] M.Suemitsu: "Observation of higher-order hydrogen-desorption kinetics from gas-source-MBE-grown Si(100)surfaces" Physical Review. B49. 11480-11483 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Y.Enta: "Origin of surface-state photoemission intensity oscillation during Si epitaxial growth on a Si(100)surface" Surface Science. 313. L797-L800 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Y.Takakuwa: "Photoelectron intensity oscillation during chemical vapor deposition on Si(100)surface with Si_2H_6" Applied Physics Letters. 64. 2013-2015 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Y.Enta: "Photoelectron intensity oscillation as a probe to monitor Si layer-by-layer growth" Applied Surface Science. 82-83. 327-331 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] M.Suemitsu: "Temperature-programmed-desorption study of the process of atomic deuterium adsorption onto Si(100)2x1" Applied Surface Science. 82-83. 449-453 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] M.Suemitsu: "Role of Ge in SiGe epitaxial growth using silane/germane gas-source molecular beam epitaxy" Journal of Vacuum Science and Technology. A12. 2271-2275 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] K.J.Kim: "Silicon shot gas epitaxy:dose-controlled digital epitaxy" Journal of Vacuum Science and Technology. A12. 986-989 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] M.Suemitsu: "Surface chemistry of Si GSMBE:a world of molecular recognition" International Conference on Adv.Microelect.Dev.and Proc.(1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] M.Suemitsu: "Growth kinetics of SiGe gas-source molecular beam epitaxy" Current Topics in Crystal Growth Res.1. (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] D.S.Yoo: "Hydrogen desorption process of Si(100)/PH_3" Journal of Applied Physics. 78. 4988-4993 (1995)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] 末光眞希: "半導体と真空" SUT Bulletin. 4月号. (1995)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Y.Enta: "Band-dispersion-originated photoelectron intensity oscillations during Si epitaxial growth on Si(100)" Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 80. 173-176 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] M.Suemitsu: "H_2-TPD study on the difference in the growth kinetics between SiH_4-and Si_2H_6-GSMBE" Surface Science. 357-358. 555-559 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] M.Suemitsu: "A model for the temperature-dependent adsorption kinetics of SiH_4 on Si(100)" Applied Surface Science. 107. 81-84 (1996)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Y.Enta: "Growth kinetics of thermal oxidation process on Si(100)by real time ultraviolet photoelectron spectroscopy" Applied Surface Science. 100/101. 449-453 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] H.Sakamoto: "Kinetics of dissociative adsorption of dichlorosilane on Si(100)2x1" Applied Surface Science. 107. 68-74 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Y.Takakuwa: "In situ observation of the surface reaction during synchrotron radiation-assisted epitaxy of silicon" Optoelectronics-Devices and Technologies-. 11. 3-22 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] 末光眞希: "フッ素化学が拓くプロセスイノベーション:HF/UVOCクリーニング" 株式会社リアライズ社, (1995)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] M.Suemitsu: "Observation of higher-order hydrogen-desorption kinetics from gas-source-MBE-grown Si (100) surfaces" Physical Review. vol.B49. 11480-11483 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Enta: "Origin of surface-state photoemission intensity oscillation during Si epitaxial growth on a Si (100) surface" Surface Science. vol.313. L797-L800 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Takakuwa: "Photoelectron intensity oscillation during chemical vapor deposition on Si (100) surface with Si_2H_6" Applied Physics Letters. vol.64. 2013-2015 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Enta: "Photoelectron intensity oscillation as a probe to monitor Si layr-by-layr growth" Applied Surface Science. vol.82/83. 327-331 (1994)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] M.Suemitsu: "Temperature-programd-desorption study of the process of atomic deuterium absorption onto Si (100) 2xl" Applied Surface Science. vol.82/83. 449-453 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] M.Suemitsu: "Role of Ge in SiGe epitaxial growth using silane/germane gas-source molecular beam epitaxy" Journal of Vacuum Science and Technology. vol.A12. 2271-2275 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K.-J.Kim: "Silicon shot gas epitaxy : dose-controlled digital epitaxy" Journal of Vacuum Science and Technology. vol.A12. 986-989 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] M.Suemitsu: "Surface chemistry of Si GSMBE : a world of molecular recognition" International Conference on Adv.Microelect.Dev.and Proc.(1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] M.Suemitsu: "Growth kinetics of SiGe gas-source molecular beam epitaxy" Current Topics in Crystal Growth Res.vol.1. (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] D.S.Yoo: "Hydrogen desorption process of Si (100)/PH_3" Journal of Applied Physics. vol.78. 4988-4993 (1995)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Enta: "Band-dispersion-originated photoelectron intensity oscillations during Si epitaxial growth on Si (100)" Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. vol.80. 173-176 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] M.Suemitsu: "H_2-TPD study on the difference in the growth kinetics between SiH_4-and Si_2H_6-GSMBE" Surface Science. vol.357/358. 555-559 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] M.Suemitsu: "A model for the temperature-dependent adsorption kinetics of SiH_4 on Si (100)" Applied Surface Science. vol.107. 81-84 (1996)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Enta: "Growth kinetics of thermal oxidation process on Si (100) by real time ultraviolet photoelectron spectroscopy" Applied Surface Science. vol.100/101. 449-453 (1996)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] H.Sakamoto: "Kinetics of dissociative adsorption of dichlorosilane on Si (100) 2xl" Applied Surface Science. vol.107. 68-74 (1996)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Takakuwa: "In situ observation of the surface reaction during synchrotron radiation-assisted epitaxy of silicon" Optoelectronics-Devices and Technologies. vol.11. 3-22 (1996)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より

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公開日: 1999-03-09  

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