| 研究概要 |
不規則超格子より不規則の空間的次元を増した。不規則量子細線の実現には、結晶成長においてステップフロー(step flow)成長姿態で行う。そのためには、用いる半導体材料のAlP,GaP成長層の成長速度制御で要求される。研究の手始めは、実験の繰り返しにより、ガス切り換えの所要時間を割り出して行う。現有の有機金属ガス気相エピタキシャル成長(MOVPE)装置を用いて行うために装置を改良後、ステップフロー成長の基礎実験を行った。
最近、急激に注目されている窒化物系すなわちAlN/GaNによる不規則量子構造の実現のためにまずGaNの成長を開始した。従来に比べて新しい窒素源を用いて、GaN膜を得ることができた。
|
