| 研究概要 |
(1)昨年度までに得た、AlP, GaP1分子層づつの成長制御、微傾斜基板上のステップフロー成長技術を基に、昨年度は得られなかっ1分子のステップを保った成長の得られる条件を明らかにした。これにより、当初に提案した不規則量子細線構造の実現のための基本的な成長技術が開発された。
(2)昨年度の研究で明らかにしたタ-シャルブチルホスフィン(TBP)中の不純物による酸素汚染を低減するために、AlGaIn液体金属を用いて、TBPの純度の向上について検討を行った結果、本方法を用いて残留酸素濃度を1桁低減できることを明らかにした。
(3)平成6年度購入のMOVPE反応装置を用いて、種々の組成のGaInNを成長させ、光学的特性について調べた。この結果500℃という低温にてGaNからIn組成30%までのGaInNの室温におけるPL発光を得た。
現在、上記(1)〜(3)を基にして量子細線の作製を行っているところである。
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