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(1)微傾斜基板上でのステップフロー成長を利用して不規則量子細線を作製するため、MOVPEの成長温度、成長速度とステップフローの関係を調べ、GaP基板上のGaPおよびAlPのステップフロー成長に必要な条件を明らかにした。
(2)量子細線の作製に不可欠なステップバンチングの無い1分子層ステップを保った成長を実現した。
(3)GaP微傾斜基板上にステップフロー成長でAlP/GaP超格子を作製し、その光励起発光測定を行い、その発光を確認した。
(4)タ-シャルブチルホスフィン(TBP)をAlGaIn液体金属中をバブリングさせることにより、発光特性低下の原因となる酸素汚染を1桁低減出来ることを示した。
(5)ステップフローによる不規則量子半導体の実現に関する研究と並行して、より顕著に量子効果を期待できる量子ドットの配列による量子細線の作製に向けて、GaP基板上InPストランスキ・クラスタノフ成長姿態を利用して無転位のInP3次元構造を作製した。
以上のより、本研究の不規則量子細線半導体を実現するための作製技術、そのルミネセンス性能および発展的課題として量子ドット実現のための研究を行った.
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