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高導電性ラングミュアブロジェット膜(LB膜)をとりあげて分子性超薄膜の局所構造と電子状態を走査型プローブ顕微鏡(SPM)システムを活用することにより調べ、非剛体2次元系に特徴的なメゾスコピックサイズで見られる乱れと電子状態の関係を明らかにすべく研究を進めた。LB膜についてはこれまでに主としてX線、フォノンスペクロトスコピーを活用して構造的観点に立つ研究を進めて来たが、これにより良質のLB膜作成技術を確立し積層方向の構造上の特徴を明らかにして来ている。本研究での主軸となるべきLB膜としてはBO及びC_<10>TCNQから成る電荷移動錯体とアラキジン酸より成る膜(BO-C_<10>TCNQ膜)とトリデシルメチルアンモニウム-Au(dmit)_2アラキジン酸より成る膜(3C10Au膜)の2種を取り上げた。後者ではより高い導電性が実現できるが膜生成後電解酸化を行なわなくてはならず、二次処理後室温では短時間で劣化する。前者はより安定である。こうした膜は水平付着法により作成するが、ほぼ目的とする電子的性能を有する膜を得るに至っている。これらの膜についての精密X線構造解析からBO-C_<10>TCNQ膜では積層方向の秩序構造が高い導電性にかかわり、導電シートが形成されていることが明らかとなった。一方3C10Au膜は組成・構造の異なる種の部分の混成構造を有していることが明らかとなった。またSPMシステムによりBO-C_<10>TCNQ膜では分子が2次元面内で規則構造をしていること、また、3C10Auでも規則配列をしている部分が見出された。
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