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本研究は、我々が提案してその可能性が既に確認されている、光印加による半導体レーザ光周波数変復調方式について、理論的に予想されるキャリアのバンド内緩和による超高周波域での変調機構について、その新しい光周波数変調方式の上限周波数を実験的に明らかにすることを目的とする平成6、7年度に亘る2か年計画の研究である。具体的には、連続的に発振する半導体レーザの活性層に外部から数100GHzあるいはそれ以上の周波数の電磁波(サブミリ波〜遠赤外光)ないし、短光パルスを照射することにり、活性層の屈折率を変えてレーザ共振器の光路長を変化させて波長を変調する実験を計画した。
計画最終年度の平成7年度は、平成6年度に構築・完成している実験システムにより、光印加による半導体レーザ光周波数の高速変調現象を調べるための実験を実施した。すなわち、連続発振する半導体レーザの活性層にパルス幅ns以下の光パルスを種々の条件のもとで照射して、そのときの半導体レーザの発振周波数のシフトを、新たに考案したスペクトル経由による自己相関法を適用して調べた。その結果、短光パルス照射下においても約860MHzの光周波数の高速変調が生じていることが、ほぼ明らかになった。またこれらの実験に平行して、光印加による半導体レーザ光周波数の高速変調現象を利用する、いくつかの実験も実施した。得られた研究成果の一部は、既に学術講演会等で公表したほか、8月に開かれる国際会議において発表の予定である。
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