| 研究課題/領域番号 |
06452205
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電力工学・電気機器工学
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| 研究機関 | 宮崎大学 |
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研究代表者 |
佐々木 亘 宮崎大学, 工学部, 教授 (30081300)
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| 研究分担者 |
河仲 準二 宮崎大学, 工学部, 助手 (50264362)
窪寺 昌一 宮崎大学, 工学部, 助教授 (00264359)
黒澤 宏 宮崎大学, 工学部, 教授 (80109892)
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| 研究期間 (年度) |
1994 – 1995
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| キーワード | 真空紫外光 / 希ガスエキシマ / 希ガスクラスタ / 放電励起 / リソグラフィ光源 |
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| 研究概要 |
平成5年度までの一般研究(C)において、超音速ジェットにより生成された希ガスクラスタを放電励起して希ガスエキシマを生成し、真空紫外光を得る方法を提案し、その原理実証を行った。
本研究はそれを受けて、真空紫外光源として高出力化、高効率化をはかり、実用光源としての可能性を明らかにし、具体的に以下の成果を得た。
1.Arエキシマ(126nm)で9.1mW Kr(147nm)300mW Xe(172nm)500mWの出力を得た。
2.放電の磁場方向に磁場を印可することによって、出力で2.4倍、効率で約2倍の2%に性能が向上した。
3.上記3種類の希ガスエキシマによって、100nmから200nmの殆ど全域にわたる真空紫外の全域にわたって、スペクトルを得ることが出来た。
4.半導体リソグラフィ用の光源として実用の光源として、実用に耐えうる強度と効率を有する光源が得られた。
5.プラスチックなど有機材料の光加工用の光源としても非常に有用であることが明らかになった。
6.有機材料の加工においては、ナノメートル以下の精密加工が可能であることが、原理的に実証された。
以上の結果により、今後次世代の半導体メモリーのリソグラフィ光源として、KrFレーザーやArFレーザーの次に来る光源として、実用化技術を確立するための基礎が得られた。今後これらの光源を用いた、新しい真空紫外加工技術の展開を図りたい。
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