| 研究課題/領域番号 |
06452227
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
上野 智雄 東京農工大学, 工学部, 講師 (90223487)
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| 研究分担者 |
垂井 康夫 早稲田大学大学院, 理工学研究科, 教授 (10143629)
黒岩 紘一 東京農工大学, 工学部, 教授 (20170102)
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| キーワード | 非晶質シリコン / 薄膜トランジスタ / CVD / シリサイド / 電界効果移動度 |
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| 研究概要 |
非晶質シリコン薄膜トランジスタ(a-Si:H TFT)の素子特性の向上すなわち高速動作を可能とするためには、素子の微細化、界面特性の向上、コンタクトの改良が必要であると考えられる。特に、界面特性の改善は、キャリア移動度の増加をもたらし、またコンタクトの改善はオン電流の増加により電解効果移動度を向上させるなど、素子特性改善に直接結び付く重要な因子である。本研究では、今後も基幹的な電子素子として多用されると考えられるa-Si:H TFTの性能向上のために、これら2つの因子の改善を図っている。
具体的には、界面におけるキャリアの散乱を少なくするため、CVD装置にパーソナルコンピュータによる原料自動切り替え機構を取り付け、非晶質シリコン/ゲート絶縁膜の連続成膜を可能とした。これによりヘテロ接合が大気に触れることなく良好な界面が形成されることになった。さらに、活性層へのダメ-ジを極力避けることを目的として、ゲート絶縁膜作製法として、真空紫外光CVDによるSiN成膜法を確立した。真空紫外光測定器からのスペクトルをデータスキャナーでパーソナルコンピュータにフィードバックすることにより、常に高強度の真空紫外光を照射する事が可能となり、良好な界面を維持したまま安定した成膜が行えるようになった。さらに、コンタクト改善の準備段階として、パラジウム、コバルト、ニッケルの各種金属と非晶質シリコンとのシリサイド化反応の検討を行った。これらの金属と非晶質シリコンとのシリサイド化反応に必要な温度は、おおむね300℃程度であることが見いだされ、いずれも非晶質シリコンの未結合手を誘発せずにTFTのコンタクトとして用いることができるとの結論を得ることができた。
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