| 研究概要 |
レンズレス光ヘッドおよび新方式光ディスクの研究を遂行して次のような成果が得られた。
(1)アズデポ状態のInSbGeの相変化ディスク片に裸の半導体レーザチップ出力端面を対向させ両者を1μm以下に近づけて,ニアフィールドに近い状態でレーザ出力をパルス幅1μm,パルス出力8mWとして照射したところμmサイズの結晶化した情報ビットが得られた。すなわちアズデポ状態のアモルファスがレーザ照射によって結晶状態(屈折率の高い)へ相変化記録が可能であることがわかった。
(2)半導体レーザチップ端面に反射防止膜をEガン蒸着装置によってSiNあるいはSiOをコートし,反射率を30%の状態から8%の状態にすることができた。この出力端面を上述の相変化ディスク片の,すでに記録済みビットが並んでいる面に対向させ,相変化ディスク片をPZTにて10μmほど一方方向に走査すると記録ビット有無に応じて半導体レーザの発振と非発振とを確認できた。つまり,レンズレスで微小ビット情報を読み取ることができた。
(3)フロッピ-ディスクと光ヘッドとの間隔を空気流速と圧力の関係によりほぼ一定に保つ条件を見つけた。
(4)光プロッピ-ディスク媒体が入手できないので,ECRスパッタ装置にて自作するメドを立てることができた。
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