| 研究課題/領域番号 |
06453080
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| 研究機関 | 岡崎国立共同研究機構 |
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研究代表者 |
川副 博司 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 教授 (80087288)
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| 研究分担者 |
細野 秀雄 東京工業大学, 工業材料研究所, 助教授 (30157028)
植田 尚之 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 助手 (00261123)
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| キーワード | 透明伝導体 / イオン注入 / キャリア生成 / アモルファス伝導体 |
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| 研究概要 |
本年度の主要実績を記す。
1.平成5年度までの研究で発見した広バンドギャップ伝導体MgIn_2O_4スピネルのスパッタ薄膜を作製し、これにLi^+イオンを注入することによって伝導電子が生成しn型伝導性が発現することを発見した。このことは、スピネル格子中に存在する4配位及び6配位カチオン空孔が過剰イオンのド-ピングサイトとして働くことの実証であり、IV族やIII-V族などの典型半導体では見られぬ特徴である。購入装置は、薄膜試料が目的物質であることの確認に使用された。
2.n型のみならずp型伝導体にもなり得る候補物質としてAgSbO_3を選択し、その薄膜をスパッタリング法により作製した。還元性雰囲気下での熱処理によって生成する酸素欠損から伝導電子が導入され、n型伝導性が実現することを確認した。またp型伝導については、有効なド-ピング法を検討中である。さらに、本物質は、アモルファス状態でも高いn型伝導性をもつことが明らかにされた。この発見により、新しい物質概念、イオン性アモルファス電(半)導体、が提案されることとなった。
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