| 研究課題/領域番号 |
06453094
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
定方 正毅 東京大学, 工学部, 教授 (30011175)
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| 研究分担者 |
原野 安土 東京大学, 工学部, 助手 (90238204)
大久保 達也 東京大学, 工学部, 講師 (40203731)
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| キーワード | ラジカル / YSZ / Oアニオンラジカル / イオン電流 |
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| 研究概要 |
本年度は、O^-のYSZ面からの放出特性および放出機構を明らかにするための実験を行った。そのために、内径20mm、厚さ2mmの円筒型YSZ膜管の中心軸上に、外径10mm、厚さ1mmの金被膜ステンレス管を設置した二重型Oアニオンラジカル生成装置を制作した。続いて、電圧を10〜100V、圧力を1torr〜760torr、YSZ面温度を300℃〜800℃およびYSZ面外側酸素流量を0〜51/minまで変化させて、電流およびイオンフラックスの変化を調べた。
得られた主な結果は、以下の通りである。
1)YSZ面温度が450℃に達すると、10〜100nAのイオン電流が観測された。
2)常圧条件下でも第3ガス成分として、Heガスを流すことにより、空間を隔ててのイオン電流を実現できた。
3)電極にグラファイトカーボンを塗布したところ、観測されたイオン電流量に対応するCO、CO_2温度が観測された。
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