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p53遺伝子欠損細胞における突然変異について知るためにゲノム上に多数存在するマイクロサテライト配列の変化とシャトルベクター上の遺伝子の変異について解析した。細胞は前年度に樹立したp53欠損遺伝子ホモ細胞とヘテロ細胞をそれぞれp53遺伝子機能を欠損した細胞および保持した細胞として用いた。紫外線を照射、非照射の各々の細胞より100個ほどの単一細胞クローンを分離しPCR、サザン法で3種のマイクロサテライト配列について解析した。それぞれの群で若干の変化が見られたが有意な差は検出されず、p53遺伝子はマイクロサテライト配列の安定性に関与していないことが示唆される。紫外線を照射したシャトルベクターをp53欠損ホモ細胞とヘテロ細胞に導入し細胞内でのベクターの失活およびベクター上のsupF遺伝子の変異について調べたが、紫外線によるベクターの失活と突然変異の誘発頻度にはp53遺伝子機能の存否は影響なくほとんど同じ生存率と変異頻度を示した。変異体それぞれについてsupF遺伝子のDNA塩基配列をオートシークエンサーを用いて解析した結果、両細胞間に誘発変異の質的な違いが検出された。すなわち、突然変異のホットスポットの位置が両細胞間で異なっていることと、ヘテロ細胞で紫外線誘発変異に特異的なCCからTTへのタンデムトランジションが生じている部位でp53欠損ホモ細胞ではCからTへのシングルトランジションが生じていることが最も顕著な違いである。これらの突然変異の質的な違いはp53遺伝子機能を保持した細胞と欠損した細胞間のDNA修復の違いによるのではなく、両者の間の損傷を持つDNAの複製様式の違いによるのではないかと推察される。
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