1994 年度実績報告書

表面成長モードの原子ダイナミックスと表面電気伝導の発現機構の研究

研究課題

研究課題/領域番号	06455007
研究機関	東京大学
研究代表者	井野正三東京大学, 大学院理学系研究科, 教授 (70005867)
研究分担者	霜越丈夫東京大学, 大学院理学系研究科, 助手 (00013409) 長谷川修司東京大学, 大学院理学系研究科, 助教授 (00228446)
キーワード	反射高速電子回折 / 走査トンネル顕微鏡 / 表面電気伝導 / エピタクシー / 半導体表面 / 金属超薄膜
研究概要	平成6年度にはSTM(走査型トンネル顕微鏡)用の観測ヘッド(UMS-501型)を購入し、探針を試料表面に安全に近づける機構や走査機構の作製とテストを行った。これを現有するRHEED(反射型高速電子回析)-TRAXS(全反射角X線分光)装置に結合させ真空テストを行った。また、試料表面をRHEED観察した後に、STM真空槽まで移動してSTM観察もできるような特別な試料ホルダーと試料移動機器を設計し作製した。これにより試料表面に金属を蒸着した際に形成される様々な表面構造やその相転移をRHEEDで詳しく観察し、この状態ままの表面を真空を破ること無くSTM観察室まで移送ができる構造となった。従って平成7年度にSTMの走査用の電源類を作製すれば、RHEED観察した試料をSTMでも同時に観察ができるようになる見通しがついた。この様な装置の作製と同時に、STMと相補的な関係にあるUHV-SEM(超高真空走査電子顕微鏡)による研究も行った。Si(111)表面に1原子層のGaを蒸着し√<3>×√<3>-Ga(1ML)構造を作製し、この表面にさらにInを蒸着した場合のSEM観察を行った。この表面に1層のInを蒸着するとRHEEDパターンは5×5構造に変化した。2層のInを蒸着すると(1/2)√<3>×(1/2)√<3>構造に変化し、テラス内は全体がほぼ一様な明るさとなり、原子レベルで非常に平坦な薄膜が形成された。3層のInを蒸着した表面では、第3層目のInはGaの下側に潜り込んだ構造になったと推定された。また3層以上では、一つのテラス内では完全に一様な厚さであるが、各々のテラスは1原子層だけ異なった厚さとなり、(In_2Ga)In_m(m=1,2,3...)と標記される構造になっていることが分かった。この表面をSTMで観察すれば、更に、興味深い結果が期待されるに至った。

研究成果
(6件)

すべてその他

すべて文献書誌 (6件)

[文献書誌] 井野正三,長谷川修司,山中俊明: "Surface Dynamics and Surtace Conolu otamce in Epitaxial Growth Studied by RHEED and TRAXS" Pbysics of Low-Dimensional Structures. 2. 1-9 (1994)
[文献書誌] 花田貴,井野正三,大門寛: "Study of the Si(111)-7×7 Surtace by RHEED Rocking Curve Analysis" Surface Sience. 313. 143-154 (1994)
[文献書誌] Y.Ma,S.Lardi.J.A.Eades 井野正三: "Retlection High-Energy Electron Diffraction Amolysis of the Si(111) 7×7 Reconstruotion" Pbuysical Review. B49. 17488-17451 (1994)
[文献書誌] 張志弘,長谷川修司,井野正三: "RHEED-TRAXS Study of Surface Struoture and Thermal Desorption of Cu on Si(111)Surface" The Structure of Sunfaces. 4. 371-376 (1993)
[文献書誌] 長谷川修司,井野正三: "Correlation Between Atomic-Scale Structure and Macroscopic Electrical Properties of Metal-Covered Si(111)Surfaces Investigated by in-situ Measurement in UHV" The Structure of Sunfaces. 4. 377-382 (1993)
[文献書誌] 井野正三,山中俊朗: "Study of Atomic Depth Distribntion and Gvowth Model During Epitaxial Growth of Sm on Si(111)-√<3>×√<3>-Ag by TRAXS" The Structure of Sunfaces. 4. 402-407 (1993)

1994 年度 実績報告書

表面成長モードの原子ダイナミックスと表面電気伝導の発現機構の研究

研究代表者

井野 正三 東京大学, 大学院理学系研究科, 教授 (70005867)

研究成果

[文献書誌] 井野 正三,長谷川 修司,山中 俊明: "Surface Dynamics and Surtace Conolu otamce in Epitaxial Growth Studied by RHEED and TRAXS" Pbysics of Low-Dimensional Structures. 2. 1-9 (1994)

[文献書誌] 花田 貴,井野 正三,大門 寛: "Study of the Si(111)-7×7 Surtace by RHEED Rocking Curve Analysis" Surface Sience. 313. 143-154 (1994)

[文献書誌] Y.Ma,S.Lardi.J.A.Eades 井野 正三: "Retlection High-Energy Electron Diffraction Amolysis of the Si(111) 7×7 Reconstruotion" Pbuysical Review. B49. 17488-17451 (1994)

[文献書誌] 張志 弘,長谷川 修司,井野 正三: "RHEED-TRAXS Study of Surface Struoture and Thermal Desorption of Cu on Si(111)Surface" The Structure of Sunfaces. 4. 371-376 (1993)

[文献書誌] 長谷川 修司,井野 正三: "Correlation Between Atomic-Scale Structure and Macroscopic Electrical Properties of Metal-Covered Si(111)Surfaces Investigated by in-situ Measurement in UHV" The Structure of Sunfaces. 4. 377-382 (1993)

[文献書誌] 井野 正三,山中 俊朗: "Study of Atomic Depth Distribntion and Gvowth Model During Epitaxial Growth of Sm on Si(111)-√<3>×√<3>-Ag by TRAXS" The Structure of Sunfaces. 4. 402-407 (1993)

1994 年度実績報告書

井野正三東京大学, 大学院理学系研究科, 教授 (70005867)

[文献書誌] 井野正三,長谷川修司,山中俊明: "Surface Dynamics and Surtace Conolu otamce in Epitaxial Growth Studied by RHEED and TRAXS" Pbysics of Low-Dimensional Structures. 2. 1-9 (1994)

[文献書誌] 花田貴,井野正三,大門寛: "Study of the Si(111)-7×7 Surtace by RHEED Rocking Curve Analysis" Surface Sience. 313. 143-154 (1994)

[文献書誌] Y.Ma,S.Lardi.J.A.Eades 井野正三: "Retlection High-Energy Electron Diffraction Amolysis of the Si(111) 7×7 Reconstruotion" Pbuysical Review. B49. 17488-17451 (1994)

[文献書誌] 張志弘,長谷川修司,井野正三: "RHEED-TRAXS Study of Surface Struoture and Thermal Desorption of Cu on Si(111)Surface" The Structure of Sunfaces. 4. 371-376 (1993)

[文献書誌] 長谷川修司,井野正三: "Correlation Between Atomic-Scale Structure and Macroscopic Electrical Properties of Metal-Covered Si(111)Surfaces Investigated by in-situ Measurement in UHV" The Structure of Sunfaces. 4. 377-382 (1993)

[文献書誌] 井野正三,山中俊朗: "Study of Atomic Depth Distribntion and Gvowth Model During Epitaxial Growth of Sm on Si(111)-√<3>×√<3>-Ag by TRAXS" The Structure of Sunfaces. 4. 402-407 (1993)