| 研究課題/領域番号 |
06555006
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
藤田 茂夫 京都大学, 工学研究科, 教授 (30026231)
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| 研究分担者 |
川上 養一 京都大学, 工学研究科, 助手 (30214604)
藤田 静雄 京都大学, 工学研究科, 助教授 (20135536)
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| キーワード | 光触媒反応 / 水素パッシベーション / 不純物添加 / 量子構造 / 急速熱処理 |
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| 研究概要 |
本研究は、実用的な半導体結晶育成技術である有機金属気相成長法により、II-VI族半導体レーザの作製を行うことを目的として、現在のこの技術における問題点である量子構造の構造制御とp型不純物添加に突破口を開くことを目指すという視点で、研究を行った。以下に、本年度の研究で得られた結果を示す。
1.光照射による不純物添加と熱処理法を組み合わせることで、5×10^<17>cm^<-3>までの有効アクセプタ密度のp型ZnSeを得ることができた。原料としては、純度の影響が大きいために、化学的性質と純度の整合が必要である。
2.ダブルヘテロ構造によるレーザ発振を試みたが、その実現には至らなかった。これは、研究の遂行の過程で明かな問題点となった、熱処理による活性層の拡散を克服できなかったためである。
3.電極材料として、ZnSe上のGaAs系半導体の成長を行う条件を確立し、高融点金属による電極抵抗の低減の見通しを得た。
4.ドライエッチング、選択成長を主として、デバイスプロセスの検討を行い、有機金属気相成長の特長がこの観点で有用であることが明らかになった。
5.実用レベルの半導体レーザ作製に向けた結晶成長のガイドラインとして、原料の選択、成長条件の設定、p型基板上の構造の利用、急速熱処理によるアクセプタ活性化、などが望ましいことが明らかになった。
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