| 研究分担者 |
佐藤 尚 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (30261572)
片岡 春樹 住友大阪セメント(株), 中央研究所, 研究職(参事)
花泉 修 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (80183911)
白石 和男 宇都宮大学, 工学部, 助教授 (90134056)
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| 研究概要 |
1.55μm帯用LPS(a-Si:H/SiO_2,RFスパッタリング法)
LPS(積層構造をもつ超小形偏光分離素子)の応用デバイスとしてファイバ集積型偏波無依存アイソレータ検討している。そのために必要なLPSの偏光分離幅,素子厚さを達成するため,LPSを構成する多層膜の作製条件を改善した。膜表面の平坦化に有効なバイアス・スパッタリング(装置内で用いられる磁気回路を備品として購入)を必要最小限に用いることで,平坦でかつ膜の歪が小さい多層膜を厚さ200μmまでの達成することができた。この多層膜から偏光分離幅70μm(素子長200μm)と低損失0.1dB/100μmの高性能なLPSが得られた。また波長1.55μm用のLPSを用いたファイバ集積型偏波無依存光アイソレータおよび光スイッチの試作実験をおこない,動作確認をおこなった。
1.3μm帯用LPS(a-SiC:H/SiO_2,CVD法)
a-SiCとSiO_2の交互多層膜作製装置であるプラズマCVD装置の改造をおこなった。高周波をパルス状に変調(電源を備品として購入)することや,ガス流量などの成膜条件を改善することで,平坦な膜を得ることができた。この条件により多層膜を作製し,LPSの特性向上を達成した。
(スパッタリング法による各種素材の検討)
低屈折率材料としてMgF_2を,高屈折率材料としてCH_4ガス導入によりるSiCなどをRFスパッタリング法により検討し,LPS材料として利用できることがわかった(宇都宮大)。
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