| 研究課題/領域番号 |
06555011
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
川上 彰二郎 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (10006223)
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| 研究分担者 |
片岡 春樹 住友大阪セメント(株), 中央研究所, (参事)研究職
佐藤 尚 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (30261572)
花泉 修 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (80183911)
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| キーワード | 光集積デバイス / 偏光分離素子 / 光アイソレータ / 光スイッチ / 多層膜 / RFスパッタリング / プラズマCVD |
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| 研究概要 |
1.55μm帯用LPS(a-Si:H/SiO_2、RFスパッタリング法)
LPS(積層構造をもつ超小形偏光分離素子)をデバイスに応用する際に必要な偏光分離幅、素子厚さを達成するため、LPSを構成する多層膜の作製条件を改善した。今回新たにSiO_2に水素を添加することで、歪の小さい、膜表面の平坦な多層膜を厚さ200μm以上まで厚膜化することができた。この多層膜から、デバイスへ応用するために必要な偏光分離幅、素子厚さ、口径を有するLPSが得られた。
1.3μm帯用LPS(a-SiC:H/SiO_2、CVD法)
a-SiCとSiO_2の交互多層膜作製条件について、今回は多層膜境界面の平坦化のため、基板温度とSiO2成膜時における供給ガス流量の最適化をおこなった。基板温度は200℃のとき、また、全ガス流量(SiH_4、CH_4、H_2)に対するH_2流量比を89%まで増やしたとき、平坦性の高い膜が得られることがわかった。
LPSのデバイス応用
作製した波長1.3μm、1.55μm帯用LPSを用いて、平面光導波路集積型光スイッチの基本的な動作実験をおこなった。また、波長1.55μm用のLPSを用いてファイバ集積型偏波無依存光アイソレータを作製し、動作確認をおこなった。
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