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PEP(Photo Engraving Process)法を用いてメッシュタイプp型表面障壁型シリコン・フォトダイオードの製作を行なうために、ウエハ-の厚さとメッシュの間隔をパラメータとしてシリコン中の電場をワークステーション上で数値的に計算し、最適なパラメータを求めた。このPEP法は通常半導体集積回路を製作するために用いられていて、高温炉やフォトマスクの使用によってSiO_2や電極をパターン化することを容易に行なうことができる方法である。また、高温酸化炉で数十ÅのSiO_2を作る際に、実際にどのような温度や方法が最適であるのかを求める必要がある。そこで、高温酸化炉で各2時間、温度を350℃、500℃、600℃とかえて数十ÅのSiO_2製作の試験を行なった結果、500℃が最適であることがわかった。特に、600℃以上では酸化膜の質の悪化が目だった。酸化方法としては水蒸気酸化と炉内に酸素を混入するドライ酸化という二つの方法をテストし、ドライ酸化の方がが優れていることがわかった。これは、水蒸気酸化では酸化膜の成長速度が速過ぎその成長を制御できないためで、ドライ酸化では質が良く密度が高い酸化膜を作ることができた。さらに、実験装置・計測システムの購入・整備を行なっているが、検出器のノイズ対策が重要となることからノイズの軽減を行なう必要があり、その対策を行なっている。観測装置のデータ処理システムとしては、VMEバスボードコンピュータとUNIXワークステーションを組み合わせて、VME側でデータ収集を行いUNIX W.S.側でデータ表示を行なうシステムを構築し、VME側のデータ収集部、VME側とUNIX W.S.側とのインターフェース部、およびUNIX W.S.上でのデータ表示ソフトはほぼ開発が終了した。
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