科研費補助金によって測定装置を改良し、12Tの磁場、0.3Kの温度でドハース・ファンアルフェン効果の観測が可能になった。この装置を用いてLaGa_2、PrGa_2、SmGa_2、GdGa_2のドハース・ファンアルフェン効果の測定が行われた。結果の概要を以下に記す(1)PrGa_2やGdGa_2とLaGa_2のdHvA振動数の角度依存性には著しい類似性が見られた。しかし詳細に調べると、磁気的ブリルアンゾーンの形成ともなうバンドの折りたたみの効果がバンド構造を変え、LaGa_2の結果には見られないdHvAブランチがPrGa_2やGdGa_2に存在していることが見い出された。(2)一方SmGa_2では、バンドの折りたたみの効果ばかりでなく、フェルミ面のc軸方向への多重連結が破られるなど、参照物質であるLaGa_2のそれとは非常に異なった結果が観測された。これはフェルミレベル直上にある4f^<2+>レベルがsやp、dバンドと強く混成していることを示しており、SmGa_2が価数揺動を起こしかけていることを示唆するものであった。(3)参照物質LaGa_2については、LAPW法によるバンド計算によってフェルミ面形状の詳細が明らかになり、LaGa_2のフェルミ面がネスティングを起こすに必要な形状を備えていることが判明した。このネスティングの波数はCeGa2やPrGa2の不整合磁気変調構造の波数とほぼ一致しており、ネスティングがRGa2の不整合磁気変調構造の原因となり得ることが判明した。(4)Yb化合物(YbSn3、YbZn11)や5f電子系のUGa2の良質結晶の育成とdHvA効果の観測に成功した。これは、4f電子や5f電子の局在・遍歴性についてのdHvA効果による研究の今後の足掛かりとなるものであった。
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