| 研究概要 |
1.強磁性Niにおける2p内殻しきい値近傍の3d共鳴光電子放出において,いわゆる「6eVサテライト」(3d^8終状態^1G,^1D,^3Pの集合と仮定)のスピン偏極の入射光依存性を,多重項を考慮したアンダーソン模型に基づき計算した.6eVサテライトのスピン偏極は,2p_<3/2>領域では「へこみ」を示さないのに対し,2p_<1/2>領域では顕著な「へこみ」を示すことを示した.また,2pスピン軌道相互作用が「へこみ」の主な原因となること,観測されるスピン偏極の振る舞いから6eVサテライトの性格に関する詳しい情報が得られること示した.
2.電子間相互作用による多重項を考慮したアンダーソン模型に基づき,CeNi_2について行われたCe3dしきい値近傍の入射電子による共鳴逆光電子放出の解析を行った.この系で起こる2次光学過程4f^0→3d^94f^2→4f^1,4f^1→3d^94f^3→4f^2に対応するスペクトルの解析から,4f軌道と周りの軌道との間の移行積分Vは,3d内殻ホールが存在する場合,存在しない場合に比べて1/3程度になることを示した.また,共鳴逆光電子放出により,Ce4f配置として3d^94f^3が中間状態として得られることから,この分光法が,以前にCe化合物について見積もられている4f電子間相互作用などの大きさを検証する上で有効な方法であることを示し,具体例としてCeO_2で予想される結果を計算した.
3.CeからYbまでの3価イオンに対し,3d内殻しきい値近傍の4f共鳴光電子放出スペクトルと二次光学過程中間状態との関係,非共鳴条件下との違いを系統的に調べた.
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