|
光通信・光情報処理の分解では、光変調器の高速化・低電力化が再重要課題の1つとなっている。LiNbO_3を用いた高速光変調器は半導体レーザの直接変調に代る次世代の超高速光変調器として最も期待されている。本変調器では信号電極の損失によりその性能を極限まで実現することが阻れている。本研究は、この性能限界を打破するため、世界に先駆けて信号電極として低損失・低分散の特長を有する超伝導電極を導入することを目的とする。
本年度は、以下の研究を行った。
1)コンピュータシミュレーションによる性能の評価
2)光源としてHe-Neレーザから実用デバイスである半導体レーザへの変換
3)電極材料として高品質のNbの導入
4)実験データの取得にGP-IBによる自動計測を導入した。
5)基板長を15mmから30mmに拡大し、性能を向上した。
|
