| 研究概要 |
LiNbO_3のNdドープ量と吸光度、レーザ遷移の温度依存性について調べた。
1.吸収、蛍光分光特性の測定
Ndドープ量1%と3%の基板について、吸収分光特性、蛍光分光特性を測定し、後者の方が両特性とも良好であった。また、吸収ピークはTE,TM偏光で異なり、1084nm辺りで最大の蛍光ピークを示すことが分かりNd-YVO_4と遷移波長が異なった。
2.吸収・蛍光分布特性の温度依存性
遷移確立を変えるためセラミック加熱温度コントローラにより、常温から150℃までの吸収スペクトル・温度特性を調べた。温度上昇に対して吸光度は幾分増しブロードとなるが、吸収のピーク波長はシフトしない。つぎに遷移スペクトルの温度依存性について調べた。その結果、蛍光強度は、約90℃で最大となることが分かった。
3.現段階で、遷移は確認されたが、808.6nmのポンプ光に対して反転分布が形成されておらず、レーザ発振を確認していない。Nd原子のイオン化や結晶中のNd分布を変化させるための基盤処理条件を検討し解析する必要がある。
別のレーザ光描画装置の光源として、KNbO_3SHGの結晶についても検討し、半導体レーザの特性を考慮した変換効率を計算した。
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