コリメーションスパッタに関する基礎的研究

1995 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 06650371
• 研究機関: 法政大学
• 研究代表者: 原 徹 法政大学, 工学部, 教授 (00147886)
• 研究分担者: 浜中 広見 法政大学, 工学部, 教授 (10061235) ; 山本 康博 法政大学, 工学部, 教授 (50139383)
• キーワード: スパッタ / メタル膜 / ビーム角 / コリメータ

研究概要

超LSIに用いる電極をスパッタ法による堆積する場合の新しい現象に関する研究を行い十分な成果が得られた。これらの成果は、学問的にも実用的にも有用なものと考える。
微細化された、とくに1/4ミクロン以下のパターンでは従来のスパッタ法を用いるとコンタクト在部には膜がほとんど堆積しないことが知られている。
本研究では、スパッタビームの直進先を高めるため、コリメータを用いることを提案し高アスペクト比のコリメータを通過するのに必要なビームについて解析を行った。
とくに、このスパッタに必要なビーム角度として直進性の強いターゲットをターゲットメーカーに依頼、試作してもらい用いた。
これらの研究結果からコリメーションスパッタに用いるターゲットも明らかになった。

研究成果

• [文献書誌] 原: "Alloyed Schottky Barrier in GaAs MESFETs: TiAs/Ti_2Ga_3 Double layer" 354-367 (1995)
• [文献書誌] 原: "Arsenic Ion Implantation into SIMOX Layers" Appl. Phys. Lett.
• [文献書誌] 原: "Stress Reduction in Al-Sc Interconnection Layers by Superplastic Deformation" J of Electrochemical Soc.
• [文献書誌] 原: "Grain Boundary Orientation in Al-Si-Cu Interconnection Measurement of the Tilt from the(III)Plane"
• [文献書誌] 原: "Formation of Ti_2N Layer Tilting of the(III)Al plane in Al-1.0%Si-0.5%Cu Interconnection Layers" J. Electronchem. Soc.
• [文献書誌] 溝口: "Raman Image Study of Flash-Lamp Annealing of Ion-Implanted Silicon" J of Appl. Phys. 77(7). 3388-3392 (1995)
• [文献書誌] 原: "Al-Si-Cu配線膜の(III)面からの傾きとこれに影響を与えるCu高濃度層" 電子情報通信学会論文誌. 305-310 (1995)
• [文献書誌] 原: "Stress Measurement in Al-Si-Cu interconnection Layers" J of Electrochemical Soc. 142. 1946-1950 (1995)
• [文献書誌] 原: "Thermal Stability in Al/Ti/GaAs Schottky Barrier" Japan J. Appl. Phys. 34. 800-802 (1995)
• [文献書誌] 原: "Carbon Ion Implantation in GaAs" Japan. J. of Appl. Phys. 34. 1021-1024 (1995)
• [文献書誌] 高松: "Characteristics of Photoacoustic Displacement for Silicon Damaged by Ion implantation" J. Appl. Phys. 78(3). (1995)