研究課題
Jiaと黒田は共同で、申請通りフェムト秒レーザーによる新物質創成とナノ構造制御を目的として、実験的研究を推進し、フェムト秒レーザーによる誘電体や半導体界面での相互作用による物質破壊のメカニズム、特に多光子吸収による電子なだれ現象の界面とその動的挙動の研究を進めた。同時にその理論的背景の物理の考察をすすめた。6H-SiCにおける結果、CaF_2における結果は新たな知見として評価され、Appl.Phys.Lett.、Phys.Rev.B等に記述されている。又、ナノ構造制御の方式としてレーザー2波長による干渉効果を提唱し、実験的にZnSe表面界面に二波長(400nm,800nm)のフェムト秒レーザーの干渉により、ナノグレーテイング、ナノリップルが形成され基板面の結晶軸ではなく、レーザーの偏光方向にナノ物質が制御形成される事をはじめて見出した。これらはSolid State Commun.やAppl.Phys.Lett.等に記述され、新しい物質制御の方式として、注目されている。さらに研究を発展させるために黒田が中心となって進めてきたコヒーレント2波長軟X線の生成の成果を応用し、コヒーレント軟X線による超微細ナノ加工と散乱干渉による観察を目指し、研究を前進させている。
すべて 2007 2006
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Solid State Commun. 141
ページ: 635
Applied Physics A 86
ページ: 491
Applied Physics Letters 89
ページ: 101116
Applied Physics Letters 88
ページ: 111117
Physical Review B 73
ページ: 054105
Journal of Applied Physics 100
ページ: 023103