研究課題/領域番号 |
07044125
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
西永 頌 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (10023128)
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研究分担者 |
HUO C 中国科学院, 物理研究所, 準教授
GE P 中国科学院, 物理研究所, 準教授
NIE Y 中国科学院, 物理研究所, 副所長,準教授
田中 雅明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30192636)
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キーワード | 微小重力 / 宇宙実験、 / スペースシャトル、 / GASプログラム、 / GaSb、 / 融液成長、 / Te不純物 / ブリッジマン成長、 |
研究概要 |
中国科学院物理研究所との共同研究によりアメリカ航空宇宙局(NASA)のGet-Away-Special(GAS)プログラムによりIII-V族化合物半導体の一種であるGaSbのブリッジマン成長を計画している。本年度は中国側では宇宙で実験を行うための電気炉を製造し、日本側ではGaSbのアンプル管の作製を行った。GASプログラムでは電気炉をはじめ電源となる電池、コントローラー一式をドラム管状の容器に入れNASAに渡すことになっている。電気炉のヒ-タは8分割されているが、各々に加える電力を調整し、一定の温度勾配が与えられるようになっている。GaSbアンプル管は石英製で、その中に直径10mm、長さ10cmのTeをドープしたGaSb単結晶が入れてある。宇宙ではこれを一端から融解し、数cmの種結晶部分を残し成長を行うことになっている。宇宙では熱対流が停止するので、表面張力誘起対流を抑制すれば流れを完全に止めることができる。しかし、温度変動があるとそのために成長速度がゆらぎ、せっかく非定常流れを止めても成長結晶内部に不純物濃度の変動が導入される。このため、本実験では通常採用されるフィードバック制御をやめ、あらがじめ定められたプログラムにより電力を調整し温度降下を行う方法を採用した。宇宙実験は本年4月25日に打ち上げられるスペースシャトルにより行われる予定である。
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