|
1.光重合性高分子膜上の液晶配向特性
偏光UV照射されたポリビニルシンナメート(PVCi)上において、液晶分子が均一な平行配向を示す。この液晶(5CB)/PVCi界面では液晶分子に対する方位角方向配向規制力が非常に弱く、室温において10^<-7>J/m^2程度であり、極角方向配向規制力の大きさは10^<-3>J/m^2程度と比較的強いことがわかった。この系では、温度の上昇につれて液晶分子と高分子膜表面とのなすティルト角がゼロから90度へと連続的に変化することがわかった。ティルト角及び極角方向配向規制力の温度変化は、それぞれ臨界指数0.5及び1でゼロになり、この実験結果は理論的予想と一致することを確認した。この現象の出現は、ネマティック相側の相転移点極く近くで液晶表面層の等方相化が起こることとの関連性が考えられる。
2.ポリイミド膜上での液晶分子の表面メモリー効果
高分子膜上での液晶分子の吸着の強さは、その高分子膜への液晶相の濡れ性によって著しく変化し、液晶相が濡れやすい高分子膜では、液晶分子の吸着力が強いことがわかった。この吸着力の値を定量化するため、等方性のポリイミド膜表面に磁場配向法を用いて液晶分子を均一な方位で配向させ、熱アニーリングによる液晶相の配向の乱れを評価した。その実験結果と、理論的な拡散方程式から導かれる配向分布関数の温度変化との比較により、回転拡散過程における活性化エネルギーの値を算出することができた。
|
