研究課題/領域番号 |
07454057
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理
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研究機関 | 高エネルギー物理学研究所 |
研究代表者 |
久野 良孝 高エネルギー物理学研究所, 物理研究部, 助教授 (30170020)
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研究分担者 |
中野 貴志 大阪大学, 核物理研究センター, 助教授 (80212091)
尾崎 均 高エネルギー物理学研究所, 物理研究部, 助手 (10177214)
岡田 安弘 高エネルギー物理学研究所, 物理研究部, 助教授 (20212334)
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研究期間 (年度) |
1995 – 1996
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キーワード | B中間子 / 時間反転不変性の破れ / タウレプトン / ニュートリノ / シリコン・ストリップ検出器 / D中間子 / 多重ヒッグス2重項模型 / スピン偏極 |
研究概要 |
B中間子のタウオニック崩壊における時間反転対称性の破れを探索する実験の可能性を検討した。時間反転対称性の破れを調べるためには、この終状態に現われるD中間子とタウレプトンの運動量ベクトルから成る崩壊平面に垂直な方向にタウレプトンのスピン偏極を調べる。もし、このスピン偏極がゼロでないとすると、時間反転対称不変性が破れていることになる。K中間子においても同様な実験が試みられているが、B中間子で行う利点は、B中間子やタウ粒子の質量が大きいため、その時間反転不変性の破れの大きさがB中間子ではK中間子より大きい。これは、たとえば多重ヒッグス2重項模型において、時間反転対称性の破れの原因となる荷電ヒッグス粒子が粒子の質量(ここでは、D中間子、タウレプトン)に比例することによる。B中間子のタウオニック崩壊の問題点は、実験的にタウ粒子の方向を識別することにある。B中間子崩壊からとタウレプトン崩壊の両者からニュートリノが生成されることによる。本研究ではこれを解決することを目標とした。解決方法は大きく分けて2つある。1つは、タウ粒子の崩壊をハードウェア的にシリコンストリップ測定器を使って測定することである。測定精度として100マイクロン程度が必要であり、測定器自身での多重散乱などが問題となる。現在、標準で使われているシリコンストリップ測定器は300マイクロン厚さであるが、100マイクロン厚さを製作して、その性能をテストした。第2としては、ソフトウェア的に解決することであり、この場合B中間子は対生成されるので、もう一つのB中間子を事象構成して、関心のあるB中間子の運動量と進行方向を確定して実験的な制限を与えるものである。電子陽電子B中間子工場での実験で最終的に期待される実験精度は、数%程度の精度である。
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