| 研究課題/領域番号 |
07454079
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
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| 研究機関 | 北陸先端科学技術大学院大学 |
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研究代表者 |
堀 秀信 北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 教授 (20028244)
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| 研究分担者 |
古沢 昌宏 北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 助手 (00251976)
本河 光博 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (30028188)
栗栖 牧生 北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 助教授 (00161753)
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| 研究期間 (年度) |
1995 – 1996
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| キーワード | GdNiSn / TbNiSn / CeNiSn / 磁気抵抗 / 磁気オーダー / 残留抵抗 / 4f-局在電子 / highly correlated electron system |
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| 研究概要 |
一連の希土類金属間化合物RNiSnは、希土類元素(R)を変える事により、同型結晶を維持したまま磁気的な性質を色々に変えることが出来る物質系である。特に軌道角運動量の大きいTbやDyは強磁場下で幾つかのメタ磁性的な磁場誘起相転移が観測され、それに伴って磁気抵抗の変化も起きる。ところでCeNiSnは当初いわゆる近藤半導体であると言われていたが、最近それが否定され金属であるとされた物質である。しかしその事から派生した大きな問題は、極くわずかな不純物でなぜ金属から半導体に変わるのかという興味ある新たな課題である。この事は磁気秩序状態をもつ物質の磁気散乱の特異性を示すものであるが、この問題の厳密な解析法は今の所ないと言って良い。一般に磁気抵抗はフェルミ準位のまわりの情報を与える重要な実験的手続きと考えられている。その割にはその具体的な解析は殆ど実行されていないのが現状であった。本研究により半経験的な公式ではあるが、具体的モデルに基いた、解析のための一般的な公式を確立し、実際の解析の実行に成功した。磁気抵抗が数値解析的に行えるようになったため、例えばTbNiSnの2.1K付近の磁場誘起相転移の物理的背景はスピンの長距離揺らぎの安定性に大きな差があることが結論された。また一見単純な反強磁性と思われたGdNiSnが3つの磁場誘起相転移を持ちそれぞれの相のスピン安定性が磁気抵抗に大きな影響を与えることが理解された。このように磁気抵抗の分析法が確立された事により、この方面の大きな物理的情報を与える手法を得たこととなり、これからの研究に大きな助けになるものと思われる。
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