| 研究課題/領域番号 |
07505011
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| 研究種目 |
試験研究(A)
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
佐々木 昭夫 京都大学, 工学研究科, 教授 (10025900)
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| 研究分担者 |
早藤 紀生 三菱電機, KK・ 光・マイクロ波デバイス研究所, 主事研究員
須崎 渉 大阪電気通信大学, 工学部, 教授 (00268294)
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| キーワード | 不規則超格子 / 量子構造 / 自己形成 / 発光デバイス |
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| 研究概要 |
(1 現有設備の有機金属気相成長エピタキシ-装置を用いて、GaP基板上のInPの成長を行い成長初期過程を原子間力顕微鏡、透過電子顕微鏡を用いて調べ、InP自己形成量子構造作製のための基本的な成長条件を明らかにした。
(2)上記(1)を基にして、InP/GaP自己形成量子ドットを作製し、その発光機能について調べたところ、InP量子ドットの寸法が小さすぎてキャリアが量子ドット内に閉じこめられていないことが判明した。
(3)現有の有機金属気相エピタキシ-装置を用いて、GaN,GaInNの成長を行い、窒化物系自己形成量子構造作製の基礎となるGaInN混晶の組成制御および高品質な成長層を得るための成長条件についての検討を行った。さらに、本年度購入のHe-Cdレーザおよび4.2Kクライオスタットを用いて光学的性質を調べた。
(4)その他、InAs/GaAs系における自己形成量子構造寸法の分布等を調べた。
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