研究課題/領域番号 |
07555008
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研究種目 |
基盤研究(B)
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応募区分 | 試験 |
研究機関 | 名古屋大学 |
研究代表者 |
田中 信夫 名古屋大学, 工学部, 助教授 (40126876)
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研究分担者 |
坂 貴 大同特殊鋼, 研究所, 主任 研究員
木塚 徳志 名古屋大学, 工学部, 助手 (10234303)
中西 疆 名古屋大学, 理学部, 教授 (40022735)
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キーワード | スピン偏極電子源 / 磁性体 / 表面・界面 / 反射電子回折 |
研究概要 |
平成8年度は、前年度の基本設計に基づき詳細設計図面を完成し、編極電子銃製作を当学科工作室で開始した。あわせて、試料として酸化ニッケル(NiO)の真空蒸着膜およびFe-NiO複合膜の作製を行い、その構造を電子顕微鏡と透過電子回折でまた磁性をSQUIDで調べた。この試料は偏極電子銃が完成した暁には、表面すれすれに偏極電子線を入射した時、反強磁性的なスピン配列と偏極した電子との相互作用によって反射電子回折図形に強度異常を検出するために用いることを予定している。実験の結果、NaClの基板温度が300℃程度のの狭い温度範囲でのみしかNiOの単相が成長せず、そのほかの場合にはNiのクラスターが混入してしまう事がわかり、成長時における基板温度及び蒸着速度の制御が重要である事が判明した。平成9年度は電子銃の調整にかかり、年度末には歪んだ半導体結晶からの電子の検出ができると思われる。
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