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1996 年度 研究成果報告書概要

走査型偏光レーザ顕微鏡の開発と微視的応力場計測への応用

研究課題

研究課題/領域番号 07555034
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分試験
研究分野 機械材料・材料力学
研究機関東京電機大学

研究代表者

新津 靖  東京電機大学, 工学部, 助教授 (70143659)

研究分担者 池田 照樹  日本分光(株), 応用研究課, 課長
一瀬 謙輔  東京電機大学, 工学部, 教授 (10057226)
研究期間 (年度) 1995 – 1996
キーワードレーザ光弾性 / 応力分布計測 / 実験応力解析 / 光弾性変調器 / シリコン単結晶
研究概要

本研究では,申請者らが開発してきたレーザ光弾性法について,He-Neレーザのフォーカッシングおよび試料あるいは光学系を非回転で計測する方法を確立した.この非回転で試料の主応力差と主応力方向を同時に計測する方法は,変調された振動楕円偏光の非線形光学効果により生じる高調波振動偏光を,二相ロックインアンプで計測することで可能になった.また,応力解析については,主応力差と主応力方向分布から応力成分を分離するための解析プログラムを作成した.さらに,シリコンとGa-As単結晶について,光弾性定数の結晶面および結晶方位依存性が得られた.具体的には,主に以下の内容について十分評価できる結果が得られた.
(1)0.01mm以上の空間分解能で応力場を計測するこができた.また,試料のスキャン部分を自動化することで,さらに空間分解能を改善できる可能性があることがわかった.
(2)主応力差と主応力方向分布から応力成分を分離するために,せん断応力差積分法を用いた実験応力解析手法を,本研究で得られた実験結果に適用するプログラムを作成した.また,有限要素法による応力解析結果と実験応力解析結果を比較した結果,良い一致が見られ,本研究の妥当性が検証された.
(3)シリコンの{100},{110}および{111}面とGa-As単結晶の{100}面の光弾性定数の決定した.今後,さらに詳細な実験行うことで,力学的に異方性を有する単結晶の応力計測および応力解析が可能なことがわかった.
以上,本研究の成果は薄膜や結晶内の微視的応力場や,生体膜・細胞内の流動現象の解明などに応用されうることが今後期待できる.

  • 研究成果

    (15件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (15件)

  • [文献書誌] Yasushi NIITSU,Kenji GOMI and Kensuke ICHINOSE: "Development of Scanning Stress Measurement Method Using Laser Photoelasticity" JSME International Jounal. (印刷中). (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Kenji GOMI and Yasushi Niitsu: "Photoelastic Property of Gallium Arsenide Crystal" Proc. of ASME Int., Intersociety Electronic & Photonic Packaging Conference. (印刷中). (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] 五味・新津: "GaAs単結晶の結晶方位が光弾性特性におよぼす影響" 日本機械学会論文集. (印刷中). (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] 新津・五味・一瀬: "走査型レーザ光弾性法の開発" 日本機械学会論文集. 62-600,A. 123-128 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Yasushi NIITSU and Kenji GOMI: "Stress Measurement by Infrared Laser Photoelasticity" Proc.of ASME Int.,Intersociety Electronic & Photonic Packaging Conference. 421-422 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Yasushi NIITSU and Kenji GOMI: "Photoelastic Properly of Silicon Single Crystal" Proc of SEM VIII Int. Congress on Experimental Mechanics and Manufacture's Exhibit. 368-369 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] K.Gomi, T.Ono, and Y.Niitsu: "Effect of Crystal Orientation on Photoelastic Constant of Silicon Single Crystal" Proc.of the 72nd JSME Spring Annual Meeting (VI). No.95-1. 141-142 (1995)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Niitsu, K.Gomi, T.Ono: "Investigation of Photoelastic Property of Semiconductor Wafers" Proc.of Appl.Exp.Mech.Elec.Pack.ASME. AMD-Vol.214. 103-108 (1995)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K.Ichinose, Y.Niitsu and K.Gomi: "Experimental Stress Analysis by Laser Photoelasticity and Shear Difference Method" Proc.of Int.Symp.on Adv.Tech.in Exp.Mech., JSME. 61-66 (1995)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Niitsu, K.Gomi and K.Ichinose: "Develop-ment of Scanning Stress Measurement Method Using Laser Photoelasticity (in Japanese)" Trans.of JSME,Series-A. Vol.62, No.600. 1883-1888 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K.Gomi, Y.Niitsu: "Effect of crystalline orientation on photoelastic constant of Si single crystal" Proc of Int.Symp.on SPIE. 238-241 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K.Gomi, Y.Niitsu: "Effect of Crystalline Orientation on Photoelastic Property of Si Single Crystal (in Japanese)" Trans.of JSME,Series-A. Vol.62, No.604. 2651-2656 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Yasushi NIITSU,Kenji GOMI and Kensuke ICHINOSE: "Development of Scanning Stress Measurement Method Using Laser Photoelasticity" JSME Int.J.40-2 (be published). (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K.Gomi and Y.Niitsu: "Effect of Crystalline Orientation on Photoelastic Property of GaAs Single Crystal" Trans.of JSME,Series-A. Vol.63, No.***(be published). (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Kenji GOMI and Yasushi Niitsu: "Photoelastic Property of Gallium Arsenide Crystal" Proc.of ASME Int., Intersociety Electronic & Photonic Packaing Conf.(be published). (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より

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公開日: 1999-03-09  

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