1997 年度研究成果報告書概要

新しい量子機能材料用半導体/絶縁体/金属複合構造作製装置の開発研究

研究課題

研究課題/領域番号	07555100
研究種目	基盤研究(A)
配分区分	補助金
応募区分	展開研究
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	名古屋大学
研究代表者	竹田美和名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20111932)
研究分担者	澤井巳喜夫サムコ, インターナショナル研究所・技術開発部, 研究員立田利明サムコ, インターナショナル研究所・技術開発部, 研究員野々垣陽一岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 助手 (40300719) 田渕雅夫名古屋大学, 工学部, 講師 (90222124) 藤原康文名古屋大学, 工学研究科, 助教授 (10181421) OYANAGI Hiroyuki ELECTROTECHNICAL LABORATORY,EXOTIC MATERIALS RESEARCH LABORATORY,LABORATORY HEAD
研究期間 (年度)	1995 – 1997
キーワード	半導体 / 絶縁体 / 金属 / 複合構造 / 量子機能 / 作製装置
研究概要	本研究における具体的な課題は、大きく分けて、新しい設計思想に基づく有機金属気相エピタキシ-成長装置を製作することにより、1原子層レベルの急峻な超薄膜複合構造の作製方法を確立すること、並びに、その超薄膜複合構造を蛍光EXAFS法及びX線CTR法により評価し、構造の1原子層単位での制御ができていることを確認することである。 1.超薄膜複合構造作製装置に関して成長装置の開発思想として、1)縦型の反応管を持つこと、2)減圧成長であること、3)ガス切り替えが可能な限り速いことと同時に切り替えによる圧力バランスが乱されないこと、の3点を大きい指針とした。1)と2)は、本装置を基に将来X線を反応管に導入し、本研究のもう一つの課題である構造評価を成長の「その場」で行うことを考えているからである。この研究は、本年度採択された基盤研究(A)(2)により一部遂行されている。3)は本来の急峻な界面作製上当然必要とされることである。本装置により、多彩なモードによる超薄膜成長が可能になり、また、原料ガス供給モードも従来では考えられない形態が可能となった。 2.構造の原子層制御の評価に関して本課題については、蛍光EXAFS法及びX線CTR法によって、1)構造の1原子層単位で評価を行うこと、並びに、2)上記の作製装置により作製した超薄膜複合構造を同じく1原子層単位で評価・確認することである。X線CTR法を更に改良し解析に工夫を施すにより多くの成果を得た。

研究成果
(21件)

すべてその他

すべて文献書誌 (21件)

[文献書誌] 田渕, 竹田他: "Croup-V Atoms Exchange Due to Exposure of InP Surface to AsH_3(+PH_3) Revealed by X-Ray CTR Scattering" Journal of Electronic Materials. 25. 671-675 (1996)
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  「研究成果報告書概要(和文)」より
[文献書誌] 田渕, 竹田他: "Distribution of As atoms in InP/InPAs/InP and InP/InGaAs/InP hetero-structures measured by X-ray CTR scattering" Institute of Physics Conference Series. 145. 227-232 (1996)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
[文献書誌] 田渕, 竹田他: "Exafs and X-Ray CTR Scattering Characterization of Er Doped in InP by OMVPE" Materials Research Society Symposium Proceedings. 422. 155-160 (1996)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
[文献書誌] 田渕, 竹田他: "Atom configuration study of δ-doped Er in InP by fluorescence" Applied Surface Science. 117/118. 781-784 (1997)
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  「研究成果報告書概要(和文)」より
[文献書誌] 藤田, 竹田他: "Occupation site and distribution of δ-doped Er in InP measured by X-ray CTR scattering" Applied Surface Science. 117/118. 785-789 (1997)
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  「研究成果報告書概要(和文)」より
[文献書誌] 竹田, 藤原他: "Layer structure analysis of Er δ-doped InP by x-ray crystal truncation rod scattering" Jouenal of Applied Physics. 82. 635-638 (1997)
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  「研究成果報告書概要(和文)」より
[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Takda et al.: "Group-V atoms exchange due to exposure of InP surface to AsH_3 (+PH_3) revealed by X-ray CTR scattering" J.Electron.Mat.Vol.25. 671-675 (1996)
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  「研究成果報告書概要(欧文)」より
[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Takeda et al.: "Distribution of As atoms in InP/InPAs/InP and InP/InGaAs/InP heterostructures measured by X-ray CTR scattering" Inst.Phys.Conf.Ser.No.145. 227-232 (1996)
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  「研究成果報告書概要(欧文)」より
[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "EXAFS and X-ray CTR scattering characterization of Er doped in InP by OMVPE" Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.422, Rare-Earth Doped Semiconductors II. 150-160 (1996)
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  「研究成果報告書概要(欧文)」より
[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Takeda et al.: "Distribution of As atoms in InP/InPAs (1 monolayr) /InP heterostructures measured by x-ray crystal truncation rod scattering" J.Appl.Phys.Vol.81. 112-115 (1997)
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  「研究成果報告書概要(欧文)」より
[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Atom configuration study of delta-doped Er in InP by fluorescence EXAFS" Appl.Sur.Sci.Vols.117/118. 781-784 (1997)
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  「研究成果報告書概要(欧文)」より
[文献書誌] Y.Takeda, Y.Fujiwara, M.Tabuchi et al.: "Layr structure analysis of Er delta-doped InP by X-ray crystal truncation rod scattering" Appl.Sur.Sci.Vols.117/118. 785-789 (1997)
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  「研究成果報告書概要(欧文)」より
[文献書誌] M.Tabuchi, T., Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Local structures around Er atoms doped in InP revealed by fluorescence EXAFS scattering" Microelectrom.Engr.J.(accepted for publication).
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  「研究成果報告書概要(欧文)」より
[文献書誌] Y.Nonogaki, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "InAs dots grown on InP (001) by droplet hetero-epitaxy using OMVPE" Mat.Sci.& Engr.B. (accepted for publication).
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  「研究成果報告書概要(欧文)」より
[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Takeda et al.: "Determination of composition in InP/InGaAs/InP qunatum-well structures by X-ray CTR scattering and quantum levels" J.Cryst.Growth. (accepted for publication).
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  「研究成果報告書概要(欧文)」より
[文献書誌] M.Tabuchi, Y.takeda et al.: "EXAFS measurement on local structure around erbium atoms doped in GaAs with oxygen co-doping" Defects in Semiconductors. (accepted for publication).
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  「研究成果報告書概要(欧文)」より
[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Takeda et al.: "Observation of composition in surface monolayr by X-ray scattering spectra caused by crystal truncation rod and interference" J.Synch.Radiat.(accepted for publication).
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  「研究成果報告書概要(欧文)」より
[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Local structure study on dilute Er in III-V semi-conductors by fluorescence EXAFS" J.Synch.Radiat.(accepted for publication).
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  「研究成果報告書概要(欧文)」より
[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Takeda et al.: "Monolayr scale analysis of ZnSe/GaAs hetero-interfaces structures by X-ray CTR scattering and interference" Inst.Phys.Conf.Ser.(accepted for publication).
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  「研究成果報告書概要(欧文)」より
[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Thermal diffusion of Er atoms delta-doped in InP" Appl.Sur.Sci.(accepted for publication).
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  「研究成果報告書概要(欧文)」より
[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Local structures around Fe atoms and magnetic properties of Fe/Cu multilayrs" Appl.Sur.Sci.(accepted for publication).
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  「研究成果報告書概要(欧文)」より

1997 年度 研究成果報告書概要

新しい量子機能材料用半導体/絶縁体/金属複合構造作製装置の開発研究

研究代表者

竹田 美和 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20111932)

研究成果

[文献書誌] 田渕, 竹田 他: "Croup-V Atoms Exchange Due to Exposure of InP Surface to AsH_3(+PH_3) Revealed by X-Ray CTR Scattering" Journal of Electronic Materials. 25. 671-675 (1996)

説明

[文献書誌] 田渕, 竹田 他: "Distribution of As atoms in InP/InPAs/InP and InP/InGaAs/InP hetero-structures measured by X-ray CTR scattering" Institute of Physics Conference Series. 145. 227-232 (1996)

説明

[文献書誌] 田渕, 竹田 他: "Exafs and X-Ray CTR Scattering Characterization of Er Doped in InP by OMVPE" Materials Research Society Symposium Proceedings. 422. 155-160 (1996)

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[文献書誌] 田渕, 竹田 他: "Atom configuration study of δ-doped Er in InP by fluorescence" Applied Surface Science. 117/118. 781-784 (1997)

説明

[文献書誌] 藤田, 竹田 他: "Occupation site and distribution of δ-doped Er in InP measured by X-ray CTR scattering" Applied Surface Science. 117/118. 785-789 (1997)

説明

[文献書誌] 竹田, 藤原 他: "Layer structure analysis of Er δ-doped InP by x-ray crystal truncation rod scattering" Jouenal of Applied Physics. 82. 635-638 (1997)

説明

[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Takda et al.: "Group-V atoms exchange due to exposure of InP surface to AsH_3 (+PH_3) revealed by X-ray CTR scattering" J.Electron.Mat.Vol.25. 671-675 (1996)

説明

[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Takeda et al.: "Distribution of As atoms in InP/InPAs/InP and InP/InGaAs/InP heterostructures measured by X-ray CTR scattering" Inst.Phys.Conf.Ser.No.145. 227-232 (1996)

説明

[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "EXAFS and X-ray CTR scattering characterization of Er doped in InP by OMVPE" Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.422, Rare-Earth Doped Semiconductors II. 150-160 (1996)

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[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Takeda et al.: "Distribution of As atoms in InP/InPAs (1 monolayr) /InP heterostructures measured by x-ray crystal truncation rod scattering" J.Appl.Phys.Vol.81. 112-115 (1997)

説明

[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Atom configuration study of delta-doped Er in InP by fluorescence EXAFS" Appl.Sur.Sci.Vols.117/118. 781-784 (1997)

説明

[文献書誌] Y.Takeda, Y.Fujiwara, M.Tabuchi et al.: "Layr structure analysis of Er delta-doped InP by X-ray crystal truncation rod scattering" Appl.Sur.Sci.Vols.117/118. 785-789 (1997)

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[文献書誌] M.Tabuchi, T., Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Local structures around Er atoms doped in InP revealed by fluorescence EXAFS scattering" Microelectrom.Engr.J.(accepted for publication).

説明

[文献書誌] Y.Nonogaki, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "InAs dots grown on InP (001) by droplet hetero-epitaxy using OMVPE" Mat.Sci.& Engr.B. (accepted for publication).

説明

[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Takeda et al.: "Determination of composition in InP/InGaAs/InP qunatum-well structures by X-ray CTR scattering and quantum levels" J.Cryst.Growth. (accepted for publication).

説明

[文献書誌] M.Tabuchi, Y.takeda et al.: "EXAFS measurement on local structure around erbium atoms doped in GaAs with oxygen co-doping" Defects in Semiconductors. (accepted for publication).

説明

[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Takeda et al.: "Observation of composition in surface monolayr by X-ray scattering spectra caused by crystal truncation rod and interference" J.Synch.Radiat.(accepted for publication).

説明

[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Local structure study on dilute Er in III-V semi-conductors by fluorescence EXAFS" J.Synch.Radiat.(accepted for publication).

説明

[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Takeda et al.: "Monolayr scale analysis of ZnSe/GaAs hetero-interfaces structures by X-ray CTR scattering and interference" Inst.Phys.Conf.Ser.(accepted for publication).

説明

[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Thermal diffusion of Er atoms delta-doped in InP" Appl.Sur.Sci.(accepted for publication).

説明

[文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Local structures around Fe atoms and magnetic properties of Fe/Cu multilayrs" Appl.Sur.Sci.(accepted for publication).

説明

1997 年度研究成果報告書概要

竹田美和名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20111932)

[文献書誌] 田渕, 竹田他: "Croup-V Atoms Exchange Due to Exposure of InP Surface to AsH_3(+PH_3) Revealed by X-Ray CTR Scattering" Journal of Electronic Materials. 25. 671-675 (1996)

[文献書誌] 田渕, 竹田他: "Distribution of As atoms in InP/InPAs/InP and InP/InGaAs/InP hetero-structures measured by X-ray CTR scattering" Institute of Physics Conference Series. 145. 227-232 (1996)

[文献書誌] 田渕, 竹田他: "Exafs and X-Ray CTR Scattering Characterization of Er Doped in InP by OMVPE" Materials Research Society Symposium Proceedings. 422. 155-160 (1996)

[文献書誌] 田渕, 竹田他: "Atom configuration study of δ-doped Er in InP by fluorescence" Applied Surface Science. 117/118. 781-784 (1997)

[文献書誌] 藤田, 竹田他: "Occupation site and distribution of δ-doped Er in InP measured by X-ray CTR scattering" Applied Surface Science. 117/118. 785-789 (1997)

[文献書誌] 竹田, 藤原他: "Layer structure analysis of Er δ-doped InP by x-ray crystal truncation rod scattering" Jouenal of Applied Physics. 82. 635-638 (1997)