1996 年度実績報告書

SiGeデバイスの高性能化

研究課題

研究課題/領域番号	07555105
応募区分	試験
研究機関	熊本電波工業高等専門学校
研究代表者	徳山順也熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 教授 (40044698)
研究分担者	葉山清輝熊本電波工業高等専門学校, 情報通信工学科, 助手 (00238148) 大山英典熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助教授 (80152271)
キーワード	SiGe / HBT / 照射損傷 / 放射線 / 電子線 / 陽子線 / 中性子線
研究概要	衛星通信用機器の構成素子としての利用が期待できるSiGeデバイスの放射線照射損傷に関する研究をこれまで行ってきた。本年度は、陽子線を照射したSiGeデバイスの放射線損傷を調べ、以前の電子線、中性子線照射の結果と比較検討を行うと共に、マグネトロンスパッタ法によるSi_<1-X>Ge_Xの成長を行った。陽子線照射損傷の実験に用いた試料は、ベルギーのIMECにて作製されたHBT(Hetrojunction Bipolar Transistor)とダイオードを用い、日本原子力研究所・高崎研究所にて陽子線の照射を行った。異なる線源による照射損傷を比較したところ、陽子線照射による損傷は中性子線と同程度であり、電子線照射による損傷と比較して2〜3桁小さいことが分かった。また、これらの結果は、照射によるはじき出し原子数や吸収エネルギーの理論計算から導き出した結果とオーダー的に一致することが確かめられた。 SiGeの成長を行うために、マグネトロンスパッタ装置の基板ホルダーを改造し900℃まで基板温度を昇温可能にした。また、成長したSiGe薄膜の結晶性を評価するためRHEED装置の製作を行った。4インチSiウエハ-上に純Geシートを置いた物をターゲットとして用いてSiGe薄膜のスパッタリングを行った。基板温度800℃、Arガス圧5×10^<-2>Pa、RF電力120Wにおいて、Si基板上にSiGe薄膜のエピキタシャル成長ができた。ターゲットに用いるGeシートの面積を変えることにより成長したSiGe薄膜のGe含有量が変化し、Ge含有量が多いほど成長膜の結晶性と表面モホロジーが悪くなる傾向があることが分かった。来年度は、マグネトロンスパッタ法により成長したSiGe層を用いたデバイス作製とその耐放射線性評価および研究のまとめを行う。

研究成果
(6件)

すべてその他

すべて文献書誌 (6件)

[文献書誌] H.Ohyama et al.,: "Radiation source dependence of degradation and recovery of irradiated Si_<1-X> Ge_X epitaxial devices" Proccdings of 3rd European Symposium Radition and their effects on componets and systems,RADECS. 66-71 (1995)
[文献書誌] H.Ohyama et al.,: "Effect of radiation source on the degradation in irradiated Si_<1-X> Ge_X epitaxial devices" Phys.Stat.sol.a.155. 147-155 (1996)
[文献書誌] H.Ohyama et al.,: "Degradation and recovery of Si_<1-X> Ge_X devices after proton irradiation" Proceedings of Material Research Society 1996 Spring Meeting. 112 (1996)
[文献書誌] H.Ohyama et al.,: "Proton Irradiation Effects on the Performance of Si_<1-X> Ge_X Devices" Phys.Stat.Sol.a.158. 325-332 (1996)
[文献書誌] H.Ohyama et al.,: "Degradation of Si1-x Gex epitaxial devices by proton irradiation" Appl.Phys.Lett.69-16. 2429-2431 (1996)
[文献書誌] H.Ohyama et al.,: "Degradation and Recovery of Proton Irradiated Si_<1-X> Ge_X Epitaxial Devices" IEEE Trans.on Nucl.Sci.43.6. 3089-3096 (1996)

1996 年度 実績報告書

SiGeデバイスの高性能化

研究代表者

徳山 順也 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 教授 (40044698)

研究成果

[文献書誌] H.Ohyama et al.,: "Radiation source dependence of degradation and recovery of irradiated Si_<1-X> Ge_X epitaxial devices" Proccdings of 3rd European Symposium Radition and their effects on componets and systems,RADECS. 66-71 (1995)

[文献書誌] H.Ohyama et al.,: "Effect of radiation source on the degradation in irradiated Si_<1-X> Ge_X epitaxial devices" Phys.Stat.sol.a.155. 147-155 (1996)

[文献書誌] H.Ohyama et al.,: "Degradation and recovery of Si_<1-X> Ge_X devices after proton irradiation" Proceedings of Material Research Society 1996 Spring Meeting. 112 (1996)

[文献書誌] H.Ohyama et al.,: "Proton Irradiation Effects on the Performance of Si_<1-X> Ge_X Devices" Phys.Stat.Sol.a.158. 325-332 (1996)

[文献書誌] H.Ohyama et al.,: "Degradation of Si1-x Gex epitaxial devices by proton irradiation" Appl.Phys.Lett.69-16. 2429-2431 (1996)

[文献書誌] H.Ohyama et al.,: "Degradation and Recovery of Proton Irradiated Si_<1-X> Ge_X Epitaxial Devices" IEEE Trans.on Nucl.Sci.43.6. 3089-3096 (1996)

1996 年度実績報告書

徳山順也熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 教授 (40044698)