| 研究課題/領域番号 |
07555112
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| 研究種目 |
試験研究(B)
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| 研究機関 | 東洋大学 |
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研究代表者 |
菅野 卓雄 東洋大学, 工学部, 教授 (50010707)
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| 研究分担者 |
和田 恭雄 (株)日立製作所, 基礎研究所, 主任研究員
花尻 達郎 東洋大学, 工学部, 講師 (30266994)
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| キーワード | 高精度微小傾角基板 / ステップ構造 / シャドウイング / 酸化雰囲気中加熱処理 / 原子間力顕微鏡 / 金属細線構造 |
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| 研究概要 |
(1)超高真空中通電加熱処理による原子層ステップ構造の作成
本年度購入の赤外線放射温度計により微小領域(1mmφ)の半導体表面温度が20℃以内の高精度で制御可能になり、高精度微小傾角シリコン基板の超高真空中通電加熱処理により作成する単原子層及び2原子層ステップ構造の再現性が大幅に向上した。また更に、水素ラジカルガンを用いて、ステップ構造形成後のシリコン表面を水素終端化することを検討中である。
(2)酸化雰囲気中加熱処理によるジャイアント原子ステップの作成
リソグラフィーによりシリコン基板上に位置を制御して形成されたエッチピットのエッジ近傍及び内部において、ステップ構造の確認までにはまだ至っていないものの、酸化雰囲気中加熱処理によりシリコン原子が移動するのを原子間力顕微鏡で確認した。
シャドウイングによる金属微細構造の作成
リソグラフィー技術に律速されない金属細線構造作成技術を確立することを目的として、先ず、リソグラフィーを用いて作成したシリコン基板上微細パターン上に金を斜め蒸着(シャドウイング)することにより、少なくとも500Å程度の金属細線構造が作成可能であることを示した。
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