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深い不純物DXセンターの対称性の理解をめざし、Al_<1-x>Ga_xAs: Se試料を取り上げ、DXセンターの電子構造を過渡容量分光法、ホトルミネッセンス法により詳細に調べた.本研究の最大の成果は中性電荷状態(D^0)による電子放出信号を世界に先駆けて見つけた.その詳細な電子状態はごく近い将来発表するが、すでによく知られているDXセンターの2電子捕獲状態、浅い有効質量状態とあわせ、一つのドナー不純物から異なる3電子状態が誘導されることが実証された.DXセンターの科学を推進するインパクトを与えるものと予想している.また、目標である対称性の探求は強い歪みを導入した試料作成のめどが明らかになりつつあり、引き続き探求する.
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