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(1)超球座標緊密結合法を用いて陽電子の散乱断面積の精密計算を行った。ヘリウム原子による散乱ではモデルポテンシャルを用いることにより準一電子系として扱い、電離エネルギーが正確な実験値を再現するように工夫した。解離極限においてヘリウム原子のn=1-4、ポジトロニウムn=1-5に移行するすべての断熱状態を基底に含ませて十分な収束性を保証した。得られたポジトロニウム生成断面積は実験値とよい一致を示し、現在手に入る理論値の内最良のものである。電子とポジトロニウムの散乱では、接触型のスピン・スピン相互作用を直接導入し、超微細構造間の遷移断面積を求めた。また、ポジトロニウム負イオンのFeshbach型共鳴を調べ、シフトのエネルギーと幅を網羅的に求めた。(2)ガウス、スレータ両基底を用いた大規模緊密結合法により、反陽子がヘリウム原子及びヘリウム1価イオンに入射して反陽子ヘリウムを形成する過程の解析を行った。ガウス基底では角度部分に新手法を導入し、主量子数が38程度の高い励起状態の計算を可能にした。準束縛状態の近似のもとで、実験値をよく一致するエネルギー固有値と自動電離の確率を得た。初期過程である捕獲に関しては、電離チャンネルを離散化した疑似状態で代用し、高精度の電離断面積を求め、捕獲確率に換算した。比較のために陽子衝撃も同一基底により計算し、入射イオンの電荷非対称性を統一的に調べた。(3)ミューオン触媒核融合の素過程として、励起状態のdμ原子からtへの移行過程を越球座標緊密結合法を用いて調べた。縮退した励起状態に起こる一次のStark効果による長距離相互作用のために基底状態からの移行に比べて数百倍も大きな断面積を与えること、Feshbach型の共鳴が断面積のエネルギー依存性に構造を作り出すことを見いだした。
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