| 研究概要 |
赤外半導体レーザー装置の窓板をCaF_2に取り替え、すべての反射鏡をコーティング無しのアルミ鏡に交換することにより、検出器で測定されるレーザー出力を約1.5倍以上にすることができ,S/N比を向上させ弱いスペクトルを測定することができた。N_2…COで強度の弱いと考えられていたK=1←0遷移のP枝吸収線を新たに測定することができた。さらに、2142cm^<-1>近辺にK=0<-0遷移が測定されたばかりでなく、2組のR枝吸収線を測定することができた。これらの2組の強度はK=0←0遷移の強度の半分であった。N_2…CO錯体分子においてファンデルワールス結合が弱いためにN_2が錯体分子内で自由回転することにより、2個の等価な窒素原子からなる分子錯体と考えられる。この結果、スピン統計でパラN_2状態の吸収線が測定されたものと思われる。このうち、1本のシリーズについてはMcKellar等によって最近報告されたものと一致していた。おそらく、この2個のシリーズとも非対称コマ分子に現れるK型2重項のシリーズと考えられる。CO…COにおいては測定領域を増やし、測定本数が予想以上に多いのでLoomis-Woods図を計算機を用いた帰属の方法を試みたが、帰属することはできなかった。測定本数が多いこと、帰属が容易でないことなどからCO二量体は安定な構造がいくつか存在しており、それらの間のポテンシャル障壁が低いものと推定される。
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