| 研究課題/領域番号 |
07650010
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
熊川 征司 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (30022130)
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| 研究分担者 |
早川 泰弘 静岡大学, 電子工学研究所, 助教授 (00115453)
山口 十六夫 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (40010938)
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| キーワード | 四元化合物半導体 / 赤外光デバイス材料 / InGaAsSb / 結晶成長 |
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| 研究概要 |
赤外光デバイス用のInGaAsSbを得るために、液晶エピタキシャル法(LPE法)を用いてInAs基板上にInGaAsSbの結晶成長実験を行っている。最初に、In、Ga、As、Sbの仕込みの組成比と結晶成長温度を変化させて、InAs基板上に成長したIn_xGa_<1-x>As_<1-y>Sb_y結晶層の混晶比xとyの値を調べた。又、これらの混晶比に対応するカットオフ波長も測定した。原料の仕込み組成のGaを少なくしSbを増加させることにより、結晶層の組成比も同様に変化させることができ、カットオフ波長を長くさせ得た。同じ原料組成比でも、成長温度を20℃低下させると、成長層のIn混晶量が増加し、結果としてカットオフ波長がより長くなった。得られている最長のカットオフ波長は4.96μmである。
成長させたInGaAsSb結晶層の電気特性に関しては、原料のIn-Ga-As-Sb混合融液(2g)に極微量のGd元素(1mg)を添加することにより、電気特性を変化させることができた。成長層のSIMSによる測定から、Gd元素は原料融液のS元素と化合し、S元素の固層への偏析を軽減していることが明らかになった。一例として、In_<0.93>Ga_<0.07>As_<0.92>Sb_<0.08>の成長層の移動度は4.5x10^4cm^2/Vs、キャリア濃度は1x10^<15>cm^<-3>の値を得ている。InAsのこれらの値と比較すると、成長層はかなり良好であると言える。
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