GaN基板上へのIII族窒化物の低次元:構造の作製と物性に関する研究

1995 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 07650025
• 研究種目: 一般研究(C)
• 研究機関: 名城大学
• 研究代表者: 天野 浩 名城大学, 理工学部, 講師 (60202694)
• 研究分担者: 赤崎 勇 名城大学, 理工学部, 教授 (20144115)
• キーワード: GaN基板 / 量子井戸構造 / III族窒化物 / Laser Diode / Light Emittting Diode

研究概要

本年度は、以下の2項目につき検討を行った。各項目につき、本年度の研究実績を纏める。
(1)単一温度HVPE法による基板用GaN単結晶の作製
本年度は、当初の計画を一部変更し、HVPE法により基板用GaN単結晶の作製を試みた。従来のHVPE法の欠点を克服するため、Gaと基板の温度を一定で行う、単一温度加熱によりGaNの成長を行った。得られた膜はすべて反射電子線回折で単結晶を示すスポット状であった。成長速度は、最大0.5mm/分と従来の報告値では最も大きかった。今後、品質の向上が課題である。
(2)RF-MBE法によるGaN基板上への高品質III族窒化物の成長及び二次元構造の作製
本年度は、MOVPE法で作製したGaN上にRF-MBE法によりIII族窒化物、特に今までMBE法では殆ど検討例の少なかったGaInN系の作製を行った。低温成長のため、組成はIII族原料のフラックスを制御させることにより容易に制御可能であった。また、DH構造の発光素子を作製し、MOVPE法と同等の成果を得た。また、MBE法では初めてGaInN/GaN多層構造の作製に成功した。

研究成果

• [文献書誌] Hiromitsu Sakai, Takashi Koide, Hiroyuko,Suzuki, Madriko Yamaguchi, Shiro: "GaN/GaInN/GaN Double Heterostricture Light Emitting Diate Fabricated Using Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy" Japanese Journal of Appllied Physics. 34. L1429-L1431 (1995)
• [文献書誌] I. Akasaki, H. Amano, S. Suta, H. Sakui, T. Tanaka, M. Koike: "Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN 2nantam Well Device" Japanese Journal of Applied Physics. 34. L1517-L1519 (1995)
• [文献書誌] H. Amano et. al.: "Issues for Realizing Practical Laser Dicade Based on Group III Nifrides" Proc. ISBLLED, 1996, Chiba. (to be published).