|
1.減圧下で平板に衝突あるいはバイアスした平板に沿うプラズマジェットの電子密度、電子温度や熱流束の平面分布、平板上及び平板上流での電圧印加位置に対するプラズマ電流応答特性、可視化情報などを無磁場下と磁場下でそれぞれ実験的に明らかにした。
2.大気圧下の高周波誘導アルゴン熱プラズマにヘリウムを2次ガスとして注入した時の誘導電磁場とプラズマの温度場、速度場や濃度場に関する形跡法を提示した。数値シミュレーションにより、プラズマ特性の制御にはコイル供給電力よりもヘリウムの注入位置や旋回流を与える位置が重要因子であることが明らかにされた。
3.プラズマ容射の磁場制御を目的として、微粒子を混入したDCプラズマ乱流噴流に外部コイルにより高周波電磁場を作用させ、直接的にプラズマ流の高温域の拡大や移動が可能で、間接的には個々の粒子の相変化や分散状態が制御できることを明らかにした。
|
