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平成8年度は平成7年度に行ったマイクロ圧力センサーの基本構造についての研究を継続し基本構造研究において問題となった点についてさらに基礎研究を継続した。
1)低圧型マイクロセンサーはZnOをCVDで作製する場合、高抵抗を得るためにLiを添加することが必要であることが明確となり、その結果、圧電特性を十分に有する薄膜を作製することが困難であった。そこで、本年度は2局スパッタを用いて、あらたに、ZnO薄膜を作製するプロセスについて検討した。その結果、良好な圧電特性を有する薄膜を得ることが出来、また、その特性を動的な周波数特性を取ることで確認した。
また、歪みに対する圧電特性を高めるために、薄膜表面に表面形状を作製することの第一段として、表面加工時の応力分布及び歪み分布解析を有限要素法をも落ちて解析し、表面形状を決定した。
2)高圧対応のダイヤモンドセンサー似ついては、圧電膜及び結晶方向にたいする応答性を検討し、1)のZnOの場合と同様に、表面にテクスチャーを作製することで、応力集中を発生させ、その結果、ゲージ率を高めることができることを確認した。
今後、最終年度において、デバイス化を試みる。
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