| 研究課題/領域番号 |
07650403
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 研究機関 | 国士館大学 |
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研究代表者 |
竹歳 和久 国士館大学, 工学部・電気工学科, 教授 (80255637)
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| 研究分担者 |
宮本 正章 国士館大学, 工学部・電気工学科, 教授 (90103639)
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| キーワード | a-GaAs / APD / EBIC / demountable / Noise reduction / RDF / Phots conduction / electron diffraction |
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| 研究概要 |
平成8年度は7年度に引き続いて多大の成果を得た。(1)実験装置の整備拡充補完 電子回折・撮像がその場で観察できる蒸着装置を製作し高感度増倍膜の試作・特性測定に成果を上げた。この他、補助蒸着装置2台、研磨装置1台を整備拡充し所望の厚さの非晶質、多結晶及び単結晶GaAs薄膜の成膜が可能になった。また、シンクロスコープを2台、微小電流計1台を導入し1画素のAPD測定回路を製作した。(2)成膜法の検討 ホットウォール法により非晶質および多結晶GaAs膜の製作をおこなった。(3)成膜の構造検討 X線回折、電子回折を併用して非晶質および多結晶膜の製作条件(蒸着速度、下地及びウォール温度、下地材料(CaF_2、ガラス))に関する知見を得た。(4)素子電極製作法の検討 HALL移動度の測定用電極形成をマスク法及びリフトオフ法で試作検討した。(5)成膜の電気特性検討 HALL MOBILITYを測定し非晶質膜で0.25〜0.45cm^2/VS多結晶で125〜180cm^2/VSを得た。(6)V-1特性の検討 回折・撮像装置によりρ=10^6Ωcmと撮像素子に画素分離なしでも撮像可能なことを実証した。(7)光導電特性 注入型、APD型、電子打込み型の増幅特性を得た。(8)APD雑音測定装置の製作 1画素APD素子増幅回路を製作し利得制御作用による雑音軽減効果を測定検証した。(9)成果 掲載論文一編 投稿予定のもの2編(電子打込み増倍特性2編)学会発表非晶質GaAs膜の特性 APD素子の雑音軽減機構(電子情報通信学会ソサエティ大会 於金沢)(10)その他 メーカーから実用化指導依頼を要請され製法特許を出願した。
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