| 研究概要 |
GaAs単結晶薄膜を用いたAPD型、ELECTRON BOMBARDMENT型(EB型)、注入型撮像素子を製作し撮像特性を調べた。製作法は研磨法で製作した。撮像特性は蒸着装置付きデマウンタブルを用いて撮像した。ビーム走査は通常の低速度ビーム走査方式を基本としたが、特に電子ビームのランディングによる残像の影響を避けるため、厳密な残像特性を測定する際は、通常と逆極性の電子電荷の蓄積したターゲットを高速度ビームで走査する方式を併用した。APD型、EB型とも限界解像度は550TVL以上であり残像は全くなく第一フィールドで0であった。高感度化の際重要な過剰雑音係数を求めた。γ=1領域のAPD形撮像素子の雑音軽減係数は増幅率10で1,増幅率100で10でありa-SeAPDのそれとほぼ同じであった。ネガ残像から双極子模型型の雑音軽減効果の存在が推定できる。EB型撮像素子の雑音軽減係数は増幅率100^〜で1.2でほぼ無雑音とみなせた。注入型撮像素子は残像は無かったが暗電流が多く雑音軽減係数の測定が出来なかった。GaAsは耐熱性もa-Seより高く、イオン化係数が大きくa-Seより約1桁低い電界で動作させられる。このような性質は良品の歩留まり・信頼性を大きく向上させる。また、光電面製作時の温度にも耐え得るのでa-Seでは不可能であったEB型の動作素子が可能になる。また、同一製作条件でAPD型、EB型の動作可能な素子が出来るのでEB型とAPD型の混合動作を行った極超高感度撮像素子も可能である。
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